一种低温度系数电阻体及其制备方法以及采用该低温度系数电阻体的低温度系数电阻技术

本发明专利技术提供了一种低温度系数电阻体和采用该低温度系数电阻体的低温度系数电阻，所述电阻体由铜、镍、锰三种金属组成；其中，所述铜的重量百分比为59.08％-61.08％；所述镍的重量百分比为23.71％-25.71％；所述锰的重量百分比为14.21％-16.21％；所述铜、镍、锰三者的重量百分比之和为100％。本发明专利技术还提供了一种低温度系数电阻体的制备方法，依次包括以下步骤：配料、熔炼、退火、锻造、热轧盘条、固溶处理、多道拉丝、去应力退火。该低温度系数电阻利用合金材料制备电阻体，温度系数低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电阻元件
，具体涉及一种低温度系数电阻体及其制备方法以及采用该低温度系数电阻体的低温度系数电阻。
技术介绍
现有的电阻器中，若按形成电阻体的材料进行分类，可分为金属氧化膜电阻器和碳膜电阻器两大类。金属氧化膜电阻器中形成电阻体的材料是金属氧化物；而碳膜电阻器中形成电阻体的材料是碳。使用过程中，电流通过电阻器，电阻器发热从而导致温度升高，电阻值会随之发生变化。而金属氧化膜电阻器和碳膜电阻器的温度系数都比较高，也就是说它们的电阻值随温度的变化而变化的程度较大。利用这个特性制成的电阻，也可称为热敏电阻。这类型电阻会给需要电阻值变化小的应用场合带来诸多不便。
技术实现思路
为了避免现有技术的不足之处，本专利技术的目的之一在于提供一种低温度系数电阻体，该低温度系数电阻体利用合金材料制备，温度系数低，即该电阻的阻值随温度的变化而变化的程度小。本专利技术的第二个目的在于提供一种采用该低温度系数电阻体的低温度系数电阻。本专利技术的第三个目的在于提供一种低温度系数电阻体的制备方法，该制备方法简单，操作容易。本专利技术的第一个目的可以通过采取如下技术方案实现:一种低温度系数电阻体，所述电阻体由铜、镍、锰三种金属组成。优选地，在所述电阻体中，所述铜的重量百分比为59.08％-61.08％；所述镍的重量百分比为23.71％-25.71％；所述锰的重量百分比为14.21％-16.21％；所述铜、镍、锰三者的重量百分比之和为100％。优选地，在所述电阻体中，所述铜的重量百分比为60.08％；所述镍的重量百分比为24.71％；所述锰的重量百分比为15.21％。优选地，所述电阻体的总重量为1.15mg；其中，所述铜的重量为0.69094mg；所述镍的重量为0.28422mg；所述锰的重量为0.17484mg。本专利技术的第二个目的可以通过采取如下技术方案实现:一种采用该低温度系数电阻体的低温度系数电阻，包括所述电阻体和铝基板，所述电阻体设置在所述铝基板上。优选地，所述铝基板由按重量百分比计以下成分组成：优选地，还包括标记层和保护层；所述标记层、所述铝基板、所述电阻体和所述保护层从上到下依次而设。优选地，所述标记层由按重量百分比计以下成分组成：环氧树脂45％；二氧化硅50％；滑石5％。优选地，所述保护层由按重量百分比计以下成分组成：环氧树脂45％；二氧化硅50％；滑石5％。本专利技术的第三个目的可以通过采取如下技术方案实现:一种低温度系数电阻体的制备方法，依次包括以下步骤：1)配料，取铜、镍、锰三种金属，按照权利要求2所述配比进行配料；2)熔炼，把步骤1)的配料进行熔炼，熔炼温度控制在1450℃-1550℃；熔炼30-50min后出炉烧注成铸锭；3)退火，将步骤2)得到的铸锭在800℃的热处理炉中保温10h后，自然冷却，得到冷却铸锭；4)锻造，将冷却铸锭放进锻造机内锻造，锻造温度为1250℃，得到方坯；5)热轧盘条，将步骤4)得到的方坯进行热轧盘条，获取第一丝材；6)固溶处理，将步骤5)得到的丝材进行在1100℃的温度下，固溶处理10h，获取第二丝材；7)多道拉丝，将步骤6)得到的第二丝材依次进行第一次拉丝、第二次拉丝和第三次拉丝；第一次拉丝获取直径为4-5mm的第一电阻丝、第二次拉丝获取直径为1-2mm的第二电阻丝和第三次拉丝获取直径为0.6-0.8mm的第三电阻丝；8)去应力退火，将步骤7)获取的第三电阻丝在650℃的条件下去应力退火，去应力退火时间为9-10h，获得所述电阻体。根据上述方法制得电阻体后，然后按照下述工艺获取低温度系数电阻：铝基板—IQC—字码印刷—IPQC—干燥—烧结—IPQC—贴合金片材—贴电极干膜—电极曝光—电极显影—电极曝光—挂镀—去膜—贴电阻干膜—电阻曝光—显影—蚀刻—镭射修阻—IPQC—印刷—干燥—烧结—折条—IPQC—真空镀射—IPQC—折粒—电镀—IPQC—筛选—检测包装—IPQC—OQC出货检验。本专利技术所提供的技术方案可以包括以下有益效果：(1)本专利技术所提供的低温度系数电阻体，改变形成电阻体的材料，即采用铜、镍、锰三种金属组成的合金制备电阻体，铜镍锰的密度为8.4-8.7g/cm3，所获得的电阻其阻值随温度的变化而变化的程度小，为低温度系数电阻，其温度系数最低达到15ppm/℃，在电路中用作电流采样电阻器。此外，该电阻体的稳定性高，对铜热电势小，机械加工和焊接性能良好。而现有技术的电阻一般是采用金属氧化物制备而成的，温度系数较高。(2)本专利技术所提供的低温度系数电阻体，铜的重量百分比为59.08％-61.08％；镍的重量百分比为23.71％-25.71％；锰的重量百分比为14.21％-16.21％，铜镍之间彼此可无限固溶，从而形成连续固溶且有较好的室温力学性能和高温强度，耐蚀性高耐磨性好，容易加工，无磁性，同时加入少量锰后会降低电阻的温度系数和电感量，温漂系数较好，可获得较宽的温度使用范围和更好的加工性能；将镍的重量百分比控制在24.71％，可有效防止铜的颜色发生变化的同时获得较好的室温力学性能和高温强度。(3)本专利技术所提供的低温度系数电阻，性能稳定，精度高。具体实施方式下面，结合具体实施方式，对本专利技术做进一步描述：一种低温度系数电阻，包括从上到下依次而设的标记层、铝基板、电阻体和保护层。其中，电阻体由铜、镍、锰三种金属组成。在电阻体中，铜的重量百分比为59.08％-61.08％；镍的重量百分比为23.71％-25.71％；锰的重量百分比为14.21％-16.21％，它们三者的重量百分比之和为100％。较佳地是，铜的重量百分比为60.08％；镍的重量百分比为24.71％；锰的重量百分比为15.21％。而铝基板由氧化铝、氧化硅、氧化镁和氧化钙组成。标记层和保护层均由环氧树脂、二氧化硅和滑石组成。其中，该低温度系数电阻中电阻体的制备方法，依次包括以下步骤：1)配料，取铜、镍、锰三种金属，按照配比进行配料；2)熔炼，把步骤1)的配料进行熔炼，熔炼温度控制在1450℃-1550℃；熔炼30-50min后出炉烧注成铸锭；3)退火，将步骤2)得到的铸锭在800℃的热处理炉中保温10h后，自然冷却，得到冷却铸锭；4)锻造，将冷却铸锭放进锻造机内锻造，锻造温度为1250℃，得到方坯；5)热轧盘条，将步骤4)得到的方坯进行热轧盘条，获取第一丝材；6)固溶处理，将步骤5)得到的丝材进行在1100℃的温度下，固溶处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温度系数电阻体，其特征在于，所述电阻体由铜、镍、锰三种金属组成。

【技术特征摘要】
1.一种低温度系数电阻体，其特征在于，所述电阻体由铜、镍、锰三种金属组成。
2.根据权利要求1所述的低温度系数电阻体，其特征在于，在所述电阻体中，所述铜的
重量百分比为59.08％-61.08％；所述镍的重量百分比为23.71％-25.71％；所述锰的重量
百分比为14.21％-16.21％；所述铜、镍、锰三者的重量百分比之和为100％。
3.根据权利要求2所述的低温度系数电阻体，其特征在于，在所述电阻体中，所述铜的
重量百分比为60.08％；所述镍的重量百分比为24.71％；所述锰的重量百分比为15.21％。
4.根据权利要求1所述的低温度系数电阻体，其特征在于，所述电阻体的总重量为
1.15mg；其中，所述铜的重量为0.69094mg；所述镍的重量为0.28422mg；所述锰的重量为
0.17484mg。
5.一种采用权利要求1-4任意一项所述的低温度系数电阻体的低温度系数电阻，其特
征在于，包括所述电阻体和铝基板，所述电阻体设置在所述铝基板上。
6.根据权利要求5所述的低温度系数电阻，其特征在于，所述铝基板由按重量百分比计
以下成分组成：
7.根据权利要求5所述的低温度系数电阻，其特征在于，还包括标记层和保护层；所述
标记层、所述铝基板、所述电阻体和所述保护层从上到下依次而设。
8.根据权利要求7所述的低温度系数电阻，其特征在于，所述标记层由按重量百分比计
以...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国斌，
申请(专利权)人：广东合科泰实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44