获取晶圆的电阻温度系数的离散度的工业实现方法技术

技术编号:9114355 阅读:202 留言:0更新日期:2013-09-05 03:32
一种获取晶圆的电阻温度系数的离散度的工业实现方法。所述方法包括:在所述晶圆上选取至少两个尺寸不同的电阻作为待测电阻;测量每个待测电阻在不同预设温度下的电阻值;根据每个待测电阻在不同预设温度下的电阻值获得每个待测电阻的电阻温度系数;计算全部待测电阻的电阻温度系数的标准差以获得电阻温度系数的离散度。通过本发明专利技术技术方案提供的方法可以比较简便且快速的获得晶圆的电阻温度系数的离散度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种获取晶圆的电阻温度系数的离散度的工业实现方法,其特征在于,包括:在所述晶圆上选取至少两个尺寸不同的电阻作为待测电阻;测量每个待测电阻在不同预设温度下的电阻值;根据每个待测电阻在不同预设温度下的电阻值获得每个待测电阻的电阻温度系数;计算全部待测电阻的电阻温度系数的标准差以获得电阻温度系数的离散度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张昊
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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