【技术实现步骤摘要】
集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库本申请是申请日为2015年07月22日、申请号为201510434904.X、题为“集成电路、基于集成电路的半导体装置和标准单元库”的专利申请的分案申请。
专利技术构思的示例实施例涉及一种包括至少一个单元的集成电路(IC)、一种基于所述IC的半导体装置和/或一种存储与所述至少一个单元有关的信息的标准单元库。
技术介绍
随着晶体管的尺寸减小和半导体制造技术进一步发展,可将更多的晶体管集成在半导体装置中。例如,在各种应用中使用芯片上系统(SOC),芯片上系统(SOC)是指将计算机或其他电子系统的所有组件集成到单个芯片中的集成电路(IC)。对应用的性能需求的增加会需要包括更多组件的半导体装置。
技术实现思路
根据专利技术构思的至少一个示例实施例,集成电路(IC)可包括至少一个单元,所述至少一个单元包括:多条导线,沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地设置;第一接触件,分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处;以及第二接触件,设置在所述至少一条导线和第一接触件上并且通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。根据专利技术构思的其他示例实施例,半导体装置可包括:基板,包括具有不同导电类型的第一有源区和第二有源区;多条导线,沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行地设置;第一接触件,分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处;以及第二接触件,设置在所述至少一条导线和位于第一有源区和第二有源区中的至少一个中的第一接触件上,并且通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个标准单元,包括第一标准单元和第二标准单元,所述多个标准单元中的每个标准单元包括基板,其中,第一标准单元包括:第一栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第二栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第三栅电极,设置在第一标准单元的基板上,第二栅电极设置在第一栅电极与第三栅电极之间;第一接触件,设置在第一栅电极与第二栅电极之间;第二接触件,设置在第二栅电极与第三栅电极之间;以及第三接触件,设置在第一接触件、第二栅电极和第二接触件上,并被构造为电连接到第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件接触第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件被构造为与第一栅电极电隔离,其中,第一标准单元或第二标准单元包括:第四栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第五栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第六栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上,第五栅电极设置在第四栅电极与第六栅电极之间;第四接触件,设置在第四栅电极与第五栅电极之间;第五接触件,设置在第五栅电极与第六栅电极之间;以及第六接触件,设置在第四接触件、第五栅电极和第五接触件上 ...
【技术特征摘要】
2015.01.09 KR 10-2015-0003466;2014.07.22 US 62/0271.一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个标准单元,包括第一标准单元和第二标准单元,所述多个标准单元中的每个标准单元包括基板,其中,第一标准单元包括:第一栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第二栅电极,设置在第一标准单元的基板上;第三栅电极,设置在第一标准单元的基板上,第二栅电极设置在第一栅电极与第三栅电极之间;第一接触件,设置在第一栅电极与第二栅电极之间;第二接触件,设置在第二栅电极与第三栅电极之间;以及第三接触件,设置在第一接触件、第二栅电极和第二接触件上,并被构造为电连接到第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件接触第一接触件、第二栅电极和第二接触件,第三接触件被构造为与第一栅电极电隔离,其中,第一标准单元或第二标准单元包括:第四栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第五栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上;第六栅电极,设置在第一标准单元或第二标准单元的基板上,第五栅电极设置在第四栅电极与第六栅电极之间;第四接触件,设置在第四栅电极与第五栅电极之间;第五接触件,设置在第五栅电极与第六栅电极之间;以及第六接触件,设置在第四接触件、第五栅电极和第五接触件上,并被构造为电连接到第四接触件、第五栅电极和第五接触件,第六接触件接触第四接触件、第五栅电极和第五接触件,第六接触件被构造为与第四栅电极电隔离。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第二接触件的长度与第一接触件的长度相同,第五接触件的长度与第四接触件的长度相同。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第二接触件的长度与第一接触件的长度相同,第五接触件的长度与第四接触件的长度不同。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第二接触件的长度与第一接触件的长度不同,第五接触件的长度与第四接触件的长度不同。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第二接触件的宽度与第一接触件的宽度相同,第五接触件的宽度与第四接触件的宽度相同。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第二接触件的宽度与第一接触件的宽度相同,第五接触件的宽度与第四接触件的宽度不同。7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第二接触件的宽度与第一接触件的宽度不同,第五接触件的宽度与第四接触件的宽度不同。8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第四栅电极、第五栅电极、第六栅电极、第四接触件、第五接触件和第六接触件被包括在第一标准单元中,第四栅电极是第一栅电极,第五栅电极是第二栅电极,第六栅电极是第三栅电极。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中,第一标准单元的基板包括第一有源区和第二有源区,第一接触件、第二接触件和第三接触件设置在第一有源区上,第四接触件、第五接触件和第六接触件设置在第二有源区上。10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,第一标准单元还包括:切割区,设置在第一有源区与第二有源区之间,并被构造为使第二有源区上的第二栅电极与第一有源区上的第二栅电极电绝缘。11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第四栅电极、第五栅电极、第六栅电极、第四接触件、第五接触件和第六接触件被包括在第二标准单元中。12.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第四栅电极与第一栅电极不同,第五栅电极与第二栅电极不同,第六栅电极与第三栅电极不同。13.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,第一标准单元还包括设置在基板上的第七栅电极,第七栅电极设置在第二栅电极与第二接触件之间。14.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,第二标准单元还包括设置在基板上的第八栅电极,第八栅电极设置在第五栅电极与第五接触件之间。15.一种半导体装置,所述半导体装置包括:基板;第一栅电极,设置在基板上;第二栅电极,设置在基板上;第三栅电极,设置在基板上,第二栅电极设置在第一栅电极与第三栅电极之间;第四栅电极,设置在基板上,第三栅电极设置在第二栅电极与第四栅电极之间;第五栅电极,设置在基板上;第六栅电极,设置在基板上;第七栅电极,设置在基板上,第六栅电极设置在第五栅电极与第七栅电极之间;第一接触件,设置在第一栅电极与第二栅电极之间;第二接触件,设置在第三栅电极与第四栅电极之间;第三接触件,设置在第一接触件、第二栅电极、第三栅电极和第二接触件上,并被...
【专利技术属性】
技术研发人员:白尚训,吴祥奎,都桢湖,朴善暎,李昇映,元孝植,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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