半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供具有RC‑IGBT结构且具备FWD(Free Wheel Diode：续流二极管)区域和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)区域的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其形成于半导体基板；二极管部，其形成于半导体基板，且在半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在晶体管部与二极管部之间，且与晶体管部的栅极电连接。

Semiconductor device

The present invention provides RC IGBT structure and the FWD (Free Wheel Diode: Diode) and IGBT (Insulated Gate regional Bipolar Transistor: insulated gate bipolar transistor) semiconductor device area. The semiconductor device includes a semiconductor substrate; a transistor, which is formed in the semiconductor substrate; a diode, which is formed in the semiconductor substrate, the semiconductor substrate and the front side has the life control body; and a gate channel, which is arranged between the transistor and diode unit, and connected with the Department of the electric gate transistor.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，已知在具有RC-IGBT结构的半导体装置中，具有FWD区域与IGBT区域相邻而形成的结构(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-363328号公报
技术实现思路
技术问题然而，现有的半导体装置由于注入FWD区域的寿命控制体也被注入到了IGBT区域，所以有时会牺牲IGBT的电气特性。技术方案在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其形成于半导体基板；二极管部，其形成于半导体基板，且在半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在晶体管部与二极管部之间，且与晶体管部的栅极电连接。半导体基板可以在半导体基板的正面侧且栅极流道的下方的至少一部分区域具有寿命控制体。半导体基板可以在半导体基板的正面侧且栅极流道的下方的整个区域具有寿命控制体。半导体基板可以在半导体基板的正面侧且与栅极流道相比更靠晶体管部侧的至少一部分具有寿命控制体。晶体管部的集电极区可以形成于栅极流道的下方的至少一部分。晶体管部的集电极区可以形成于栅极流道的下方的整个区域。晶体管部的集电极区可以形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；晶体管部，其形成于所述半导体基板；二极管部，其形成于所述半导体基板，且在所述半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在所述晶体管部与所述二极管部之间，且与所述晶体管部的栅极电连接。

【技术特征摘要】
2016.02.16 JP 2016-027035;2016.11.17 JP 2016-224021.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；晶体管部，其形成于所述半导体基板；二极管部，其形成于所述半导体基板，且在所述半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在所述晶体管部与所述二极管部之间，且与所述晶体管部的栅极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板在所述半导体基板的正面侧且所述栅极流道的下方的至少一部分区域具有寿命控制体。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板在所述半导体基板的正面侧且所述栅极流道的下方的整个区域具有寿命控制体。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板在所述半导体基板的正面侧且与所述栅极流道相比更靠近所述晶体管部侧的至少一部分区域具有寿命控制体。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部的集电极区形成于所述栅极流道的下方的至少一部分区域。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部的集电极区形成于所述栅极流道的下方的整个区域。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部的集电极区形成于与所述栅极流道相比更靠近所述二极管部侧的至少一部分区域。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部的阴极区未形成在所述栅极流道的下方。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备阱区，所述阱区具有与所述半导体基板不同的导电型，且形成于所述栅极流道的下方。10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部具备形成于所述半导体基板的正面的栅极沟槽部，所述栅极沟槽部的至少一部分形成于所述栅极流道的下方。11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部配置于所述半导体装置的活性区的端部。12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部配置于所述半导体装置的活性区的角部。13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部在俯视时包围所述晶体管部的周围。14.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤达也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP