使用集成二极管的静电放电保护制造技术

一种设备能包括第一电路，其被配置成提供相对于第一节点与第二节点之间施加的静电放电(ESD)脉冲提供静电放电保护。所述第一电路包括双极晶体管的串联堆叠，其被配置成响应于所述ESD脉冲分流所述第一和第二节点之间的电流；以及二极管，其与所述双极晶体管的堆叠串联连接，并且配置成在分流所述第一和第二节点之间的电流时降低所述第一电路的突返保持电压。

【技术实现步骤摘要】
使用集成二极管的静电放电保护
各种实施例的方面涉及静电放电(electrostaticdischarge，ESD)保护电路和包括用于设置突返保持电压(snapbackholdingvoltage)或其它属性的集成二极管的电路。
技术介绍
静电放电(ESD)是可能因为电接触的两个装置之间的静电积累导致的突然电流。当物体足够靠近使其之间的电介质破裂时，可能发生ESD事件。ESD事件是集成电路(IC)装置和芯片的许多故障的原因。使用多种不同电路解决方案可以提供ESD保护。ESD保护的操作特性可能受到IC芯片间隙、制造过程和成本以及技术局限性的限制。随着装置能力的变化，ESD保护技术解决方案可能不再能够与装置能力相配。对于多种应用，这些和其它事项给ESD保护的实施效率造成难题。
技术实现思路
各种实施例涉及一种静电放电(ESD)保护电路，其在断开状态时不在两个节点之间传导(主要仅仅是结泄漏电流)。所述ESD保护装置包括双极晶体管的串联堆叠和二极管。响应于ESD事件，触发电流传导通过双极晶体管的串联堆叠和二极管。可以响应于触发电流形成触发电压事件(例如一旦衬底接收到足以激活二极管PN结的电流)，激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，其特征在于包括：第一电路，其被配置成提供相对于第一节点与第二节点之间施加的静电放电(ESD)脉冲的ESD保护，所述第一电路包括：双极晶体管的串联堆叠，其被配置成响应于所述ESD脉冲而分流所述第一和第二节点之间的电流；以及二极管，其与所述双极晶体管堆叠串联连接，并且配置成在分流所述第一和第二节点之间的电流时降低所述第一电路的突返保持电压。

【技术特征摘要】
2016.01.26 US 15/006,8121.一种设备，其特征在于包括：第一电路，其被配置成提供相对于第一节点与第二节点之间施加的静电放电(ESD)脉冲的ESD保护，所述第一电路包括：双极晶体管的串联堆叠，其被配置成响应于所述ESD脉冲而分流所述第一和第二节点之间的电流；以及二极管，其与所述双极晶体管堆叠串联连接，并且配置成在分流所述第一和第二节点之间的电流时降低所述第一电路的突返保持电压。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于所述串联堆叠的所述双极晶体管是PNP双极晶体管。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于进一步包括导电迹线，所述导电迹线将所述二极管的阳极连接到来自所述串联堆叠的特定双极晶体管的集电极。4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于所述第一电路被配置成使用电流路径分流所述第一和第二节点之间的电流，所述电流路径绕过所述特定双极晶体管的发射极到集电极的结。5.根据权利要求3所述的设备，其特征在于进一步包括P+掺杂条，所述P+掺杂条将所述特定双极晶体管的发射极与所述特定双极晶体管的基极物理上隔开，并且被配置成降低所述突返保持电压。6.根据权利要求2所述的设备，其特征在于所述特定PNP双极晶体管占据的面积小于所述串联堆叠中的另一PN...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖大伟，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL