半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置。在不增大镇流电阻的宽度的情况下增大镇流电阻的容许电流量。包括在镇流电阻内的至少一个电阻具有第一电阻和第二电阻。第一电阻在电流在保护元件中流动的第一方向(图1中的X方向)上延伸。第二电阻元件与第一电阻元件并联地耦接并且在第一方向上延伸。第二电阻元件和第一电阻元件位于同一条直线上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请是申请日为2012年11月2日、申请号为201210431974.6、专利技术名称为“半导体装置”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用将2011年11月4日提交的日本专利申请No.2011-241938的公开内容(包括说明书、附图以及摘要)通过参考全部并入在本申请中。
本专利技术涉及半导体装置，该半导体装置包括用于防止由过电流或者过电压(诸如静电放电(ESD))引起的破坏的保护元件和镇流电阻(ballastresistance)。
技术介绍
可以为保护内部电路免受过电流和过电压的保护元件设置镇流电阻。已知的是镇流电阻具有通过防止保护元件中流动的电流集中于某一部分中以及提高电流的均匀性来提高保护元件的放电性能的效果。另一方面，日本未经审查的专利申请公开No.2002-76279公开了下面描述的技术。首先，绝缘区被形成在SOI衬底的硅层中，并且岛状的半导体区被形成在绝缘区内。半导体区在平面图中具有弯曲的图案。半导体区的一个端部为p+区并且另一个端部为n+区。半导体区的其它区域为n区。换句话说，半导体区不仅用作二极管，而且通过该n区来用作电阻。以矩阵形式布置多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：保护元件，电流在所述保护元件中在第一方向上流动；以及与所述保护元件耦接的镇流电阻；其中所述镇流电阻包括：在所述第一方向上延伸的第一电阻元件；在所述第一方向上延伸的第二电阻元件；第一布线，电连接到第一端子以及所述第一电阻元件和所述第二电阻元件；以及第二布线，电连接到所述保护元件以及所述第一电阻元件和所述第二电阻元件，并布置在所述第一布线之上以使得在平面图中所述第二布线与所述第一布线交迭；其中所述第一电阻元件被布置为沿着所述第一方向靠近所述第二电阻元件。

【技术特征摘要】
2011.11.04 JP 2011-2419381.一种半导体装置，包括：保护元件，电流在所述保护元件中在第一方向上流动；以及与所述保护元件耦接的镇流电阻；其中所述镇流电阻包括：在所述第一方向上延伸的第一电阻元件；在所述第一方向上延伸的第二电阻元件；第一布线，电连接到第一端子以及所述第一电阻元件和所述第二电阻元件；以及第二布线，电连接到所述保护元件以及所述第一电阻元件和所述第二电阻元件，并布置在所述第一布线之上以使得在平面图中所述第二布线与所述第一布线交迭；其中所述第一电阻元件被布置为沿着所述第一方向靠近所述第二电阻元件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一布线布置在所述第一电阻元件和所述第二布线之间，以及其中所述第一布线布置在所述第二电阻元件和所述第二布线之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电阻元件具有第一端部和第二端部；其中所述第二电阻元件具有第三端部和第四端部，其中所述第二端部和所述第三端部位于所述第一端部与所述第四端部之间，其中所述第一布线经由第一接触件电连接到所述第二端部和所述第三端部；以及其中所述第二布线经由第二接触件电连接到所述保护元件以及所述第一端部...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口江，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP