温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体装置。在不增大镇流电阻的宽度的情况下增大镇流电阻的容许电流量。包括在镇流电阻内的至少一个电阻具有第一电阻和第二电阻。第一电阻在电流在保护元件中流动的第一方向(图1中的X方向)上延伸。第二电阻元件与第一电阻元件并联地耦接并且在...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。