半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装结构及其形成方法，可以降低生产成本。该半导体封装结构包括：RDL(重分布层)结构，具有相对设置的第一表面及第二表面；半导体晶粒，设置在该第一表面上并且电性耦接至该RDL结构；模塑料，设置在该第一表面上，并且围绕该半导体晶粒；以及多个导电结构，嵌入于该模塑料中，并且电性耦接该RDL结构；其中，每个导电结构包括：焊球，嵌入于该模塑料中并且电性耦接至该RDL结构，并且该模塑料包括：多个开口，分别露出该每个导电结构中的该焊球；或者，每个导电结构包括：导电柱结构，设置于该模塑料中并且从该模塑料中露出，其中该导电柱结构包括：焊料，接合在该RDL结构上并且电性耦接该RDL结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法
本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种半导体封装结构(例如扇出封装结构)及其形成方法。
技术介绍
近年来，由于电子产品已变得越来越多功能并且尺寸已经缩小，因此业界期望半导体装置的制造者能够在单个半导体晶圆上制造更多的装置，使得含有这些装置的电子产品能够更加紧凑。作为对此种需求的响应，开发了PoP(Package-on-package，封装上封装)技术。PoP技术使得两个或者更多的封装通过使用标准接口来安装(即堆叠)于彼此之顶上，其中该标准接口用于在该两个或更多的封装之间路由信号。PoP技术允许在电子产品中具有更高的元件密度，其中电子产品诸如为移动电话、PDA(PersonalDigitalAssistant，个人数字助理)和数字相机。在此种PoP结构中，一般使用穿过模塑料的通孔(throughvias)来电性连接堆叠的封装，其中该通孔有时被称为穿过封装的通孔(ThroughPackageVias，TPV)或者穿过插入层的通孔(ThroughInterposerVias，TIV)。TPV/TIV的形成工艺至少包括：光刻(lithography)工艺，用来形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装，该第一半导体封装包括：第一重分布层结构，具有相对设置的第一表面与第二表面；第一半导体晶粒，设置在该第一表面上并且电性耦接至该第一重分布层结构；第一模塑料，设置在该第一表面上，并且围绕该第一半导体晶粒；以及多个导电结构，嵌入于该第一模塑料中，并且电性耦接该第一重分布层结构；其中，每个导电结构包括：焊球，嵌入于该第一模塑料中并且电性耦接至该第一重分布层结构，并且该第一模塑料包括：多个开口，分别露出该每个导电结构中的该焊球；或者，每个导电结构包括：导电柱结构，设置于该第一模塑料中并且从该第一模塑料中露出，其中该导电柱结构包括：焊料，接合在该第一重...

【技术特征摘要】
2016.02.22 US 62/297,995;2017.01.30 US 15/418,8961.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装，该第一半导体封装包括：第一重分布层结构，具有相对设置的第一表面与第二表面；第一半导体晶粒，设置在该第一表面上并且电性耦接至该第一重分布层结构；第一模塑料，设置在该第一表面上，并且围绕该第一半导体晶粒；以及多个导电结构，嵌入于该第一模塑料中，并且电性耦接该第一重分布层结构；其中，每个导电结构包括：焊球，嵌入于该第一模塑料中并且电性耦接至该第一重分布层结构，并且该第一模塑料包括：多个开口，分别露出该每个导电结构中的该焊球；或者，每个导电结构包括：导电柱结构，设置于该第一模塑料中并且从该第一模塑料中露出，其中该导电柱结构包括：焊料，接合在该第一重分布层结构上并且电性耦接该第一重分布层结构。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体封装进一步包括：电子元件，设置在该第一或第二表面上，并且电性耦接至该第一重分布层结构。3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该电子元件包括：电阻、电容、电感或者他们的组合。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一半导体封装进一步包括：多个第一导电结构，设置在该第二表面上并且电性耦接至该第一重分布层结构。5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第二半导体封装，堆叠在该第一半导体封装上；其中，该第二半导体封装包括：第二重分布层结构，电性耦接至该第一重分布层结构，并且具有相对设置的第三表面和第四表面；第二半导体晶粒，设置在该第三表面上并且电性耦接至该第二重分布层结构；以及第二模塑料，设置在该第三表面上并且围绕该第二半导体晶粒。6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二半导体封装进一步包括：第三半导体晶粒，设置在该第二半导体晶粒上，并且由该第二模塑料围绕，并且电性耦接至该第一重分布层结构。7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二和第三半导体晶粒分别包括存储装置。8.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，当该每个导电结构包括该焊球时，该第二半导体封装进一步包括：多个第二导电结构，设置在该第四表面上，并且每个第二导电结构延伸进对应的该开口，以电性耦接在该焊球和该第二重分布层结构之间。9.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，当该每个导电结构包括该导电柱结构时，该第二半导体封装进一步包括：多个第二导电结构，设置在该第四表面与该露出的导电柱结构之间，使得该第二导电结构电性耦接在该第二重分布层结构与该导电柱结构之间。10.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：在载体基底上形成第一重分布层结构，其中该第一重分布层结构具有相对设置的第一表面与第二表面，并且该第二表面附着至该载体基底；在该第一表面上形成多个焊球；将第一半导体晶粒安装至该第一表面上，其中该第一半导体晶粒通过该第一重分布层结构电性耦接至该多个焊球；在该第一表面上形成第一模塑料，以使该第一半导体晶粒和该多个焊球嵌入于该第一模塑料中；以及在该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子闳，彭逸轩，萧景文，刘乃玮，黄伟哲，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71