非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签制造技术

本实用新型专利技术涉及一种非易失性存储结构，包括两个控制场效应管、两个隧穿场效应管和两个浮栅场效应管；第一或第二控制场效应管、第一或第二隧穿场效应管和第一或第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅或第二浮栅；两个控制场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在数据输入端；两个隧穿场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在隧穿电压输入端；所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的源极和漏极分别连接在读使能信号输入端和数据输出端。本实用新型专利技术还涉及存储单元、存储器及电子标签。实施本实用新型专利技术的非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签，具有以下有益效果：其数据保持能力较强，抗干扰能力也较强。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签
本技术涉及数据存储领域，更具体地说，涉及一种非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签。
技术介绍
非易失性存储器（Non-Volatilememory）可以在没有电源的情况下储存数据而不会丢失，因此在很多集成电子器件中越来越多的被使用，尤其是集成在射频识别芯片中的使用，可以用来存储芯片序号、产品编码、密钥、操作指令、用户数据等。而传统的电可擦除存储器（EEPROM）采用浮栅存储场效应管，这种结构的存储器工艺复杂，无法与标准CMOS工艺兼容，制造成本高昂。现有技术中也有单层多晶硅非易失性储器，其解决了与标准CMOS工艺兼容的问题，但由于其传输管与高压直接相连，减弱了对数据存储的保持特性，同时输入数据直接与控制电容相连，降低了数据输入的抗干扰能力。因此，在现有技术中，非易失性存储器的数据保持和抗干扰能力均较差。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述数据保持能力较差、抗干扰能力较差的缺陷，提供一种数据保持能力较好、抗干扰能力较好的非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储结构，其特征在于，包括第一控制场效应管、第二控制场效应管、第一隧穿场效应管、第二隧穿场效应管、第一浮栅场效应管和第二浮栅场效应管；所述第一控制场效应管、第一隧穿场效应管和第一浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅；所述第二控制场效应管、第二隧穿场效应管和第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第二浮栅；所述第一控制场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起，并与连接在一起的第二控制场效应管的源极、漏极和衬底并接在数据输入端；所述第一隧穿场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起，并与连接在一起的第二隧穿场效应管的源极、漏极和衬底并接在隧穿电压输入端；所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效...

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储结构，其特征在于，包括第一控制场效应管、第二控制场效应管、第一隧穿场效应管、第二隧穿场效应管、第一浮栅场效应管和第二浮栅场效应管；所述第一控制场效应管、第一隧穿场效应管和第一浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅；所述第二控制场效应管、第二隧穿场效应管和第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第二浮栅；所述第一控制场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起，并与连接在一起的第二控制场效应管的源极、漏极和衬底并接在数据输入端；所述第一隧穿场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起，并与连接在一起的第二隧穿场效应管的源极、漏极和衬底并接在隧穿电压输入端；所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的源极分别连接在读使能信号输入端，所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的漏极并接在一起后连接在数据输出端，所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的衬底分别连接在所述读使能信号输入端。2.根据权利要求1所述的非易失性存储结构，其特征在于，所述第一控制场效应管、第二控制场效应管、第一隧穿场效应管、第二隧穿场效应管、第一浮栅场效应管和第二浮栅场效应管均为p型沟道场效应管，其衬底包括n阱。3.一种非易失性存储单元，其特征在于，包括第一数据存储单元、第二数据存储单元、数据锁存单元、第一传输场效应管和第二传输场效应管；所述数据锁存单元将其连接的数据存储单元的数据输出端上的不同的数据值锁存在该数据输出端上；所述第一传输场效应管和第二传输场效应管分别在地址选择信号的作用下导通使得其连接的数据存储单元的数据输出端上数据输出；其中，所述第一数据存储单元和第二数据存储单元是如权利要求1或2所述的非易失性存储结构。4.根据权利要求3所述的非易失性存储单元，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岩，熊立志，武岳山，
申请(专利权)人：深圳市远望谷信息技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44