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本实用新型涉及一种非易失性存储结构，包括两个控制场效应管、两个隧穿场效应管和两个浮栅场效应管；第一或第二控制场效应管、第一或第二隧穿场效应管和第一或第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅或第二浮栅；两个控制场效应管的源极、漏极和衬底...
该专利属于深圳市远望谷信息技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市远望谷信息技术股份有限公司授权不得商用。

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