薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器，该薄膜晶体管的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上通过一次构图工艺形成有源层和覆盖所述有源层的遮光层，所述遮光层由光刻胶材料形成；以及形成源漏电极层和覆盖所述源漏电极层的钝化层。本发明专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法，在有源层上制作遮光层，以减少有源层受到光照而产生的漏电流，提升显示品质，且遮光层为光刻胶材料，在制备有源层的过程中，采用光刻胶层为掩模，制作完成有源层之后，保留的光刻胶层即用作覆盖有源层的遮光层，遮光层与有源层通过一次构图工艺制作出来，无需增加构图工序，能够简化工艺流程，提高生产效率。

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display

The invention provides a thin film transistor array substrate and its manufacturing method, and display, making the method includes: providing a substrate; thin film transistor on the substrate through a patterning process forming light shielding layer covering the active layer and the active layer, the shading layer by forming a photoresist material; and forming a source the drain electrode layer and the passivation layer covering the source of leakage pole layer. Thin film transistor and its manufacturing method provided by the invention, making the light shielding layer on the active layer and the active layer to reduce the leakage current caused by illumination, improve display quality, and the shading layer is photoresist materials in the preparation process of the active layer, using the photoresist layer as a mask, after the making of the active layer reserved for photoresist layer, active layer covering the shading layer, the shading layer and the active layer through a patterning process produced, without increasing the patterning process, can simplify the process, improve the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器
本专利技术涉及显示装置
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器。
技术介绍
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)由于具备低功耗、轻薄易用、高亮度、高对比度和高响应速度等众多优点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。与此同时，为适应市场需求，TFT-LCD正向着高分辨率、轻薄化、低功耗和高品质的方向发展。其中，显示画面均匀、高解析度、无窜扰等是高品质TFT-LCD的关键要求，其漏电流(Ioff)大小是影响液晶屏性能的重要参数之一，漏电流偏高会影响TFT的开关特性，从而导致TFT-LCD出现显示不均、发白、窜扰等显示类缺陷。而有源层对光照非常敏感，即使受到微弱光线的照射，有源层中也会产生很大的漏电流，且随着光照强度以及时间的延长，TFT器件的特性会急剧下降，从而导致显示品质的降低。现有技术中，液晶面板由阵列基板、彩膜基板和液晶层构成。部分来自背光源的光线会经过彩膜基板或者液晶层反射到有源层上，从而导致漏电流增加，影响显示品质。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上通过一次构图工艺形成有源层和覆盖所述有源层的遮光层，所述遮光层由光刻胶材料形成；以及形成源漏电极层和覆盖所述源漏电极层的钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上通过一次构图工艺形成有源层和覆盖所述有源层的遮光层，所述遮光层由光刻胶材料形成；以及形成源漏电极层和覆盖所述源漏电极层的钝化层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述在所述绝缘层上通过一次构图工艺形成有源层和覆盖所述有源层的所述遮光层包括：在所述基板上沉积所述有源层；在所述有源层上涂覆光刻胶层；以及以所述光刻胶层为掩模刻蚀所述有源层，得到有源层和覆盖所述有源层的所述遮光层。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述以所述光刻胶层为掩模刻蚀所述有源层，得到有源层和覆盖所述有源层的所述遮光层包括：采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，使所述光刻胶层形成未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；对所述光刻胶层进行显影处理，使得所述光刻胶层形成与所述未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域分别对应的完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域；采用刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域对应的有源层；以及对所述光刻胶进行灰化处理，使所述光刻胶层的所述完全保留区域形...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贺飞，段献学，王铖铖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11