阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。本发明专利技术还提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、形成在硬掩膜层上以及凹进区的侧壁和底部上且包括至少一层钴或钌层的阻挡层、形成在钴或钌层上并填满凹进区的金属层；采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层；采用热流蚀刻方法去除硬掩膜层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法
本专利技术涉及集成电路制造工艺,尤其涉及一种阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法。
技术介绍
在半导体结构中，形成电子电路的材料通常是铝。但是随着集成电路特征尺寸越来越小，铝由于其高电阻，不再适合用在半导体结构中形成电子电路。铜由于其具有良好的导电性而代替铝被用到集成电路中。但是，铜具有一个缺点就是很容易扩散到SiO2，从而严重影响到集成电路的性能。因此，为了解决这个问题，需要使用阻挡层来阻止铜扩散到SiO2中。目前，阻挡层的材料通常采用钽、氮化钽、钛或氮化钛，并且形成在半导体结构的非凹进区域上的阻挡层主要采用化学机械抛光(CMP)去除。对于20nm或低于20nm工艺节点，阻挡层的厚度必须足够薄。对于材料是钽、氮化钽、钛或氮化钛的阻挡层，如果钽、氮化钽、钛或氮化钛阻挡层的厚度太薄，就会降低阻挡层阻止铜扩散到SiO2中的能力。因此，钽、氮化钽、钛或氮化钛阻挡层无法满足20nm或低于20nm工艺节点的要求。因此，需要用一种新材料在20nm或低于20nm工艺节点中形成阻挡层。事实证明，钴或钌可以用来形成阻挡层。钴或钌阻止铜扩散到SiO2中的能力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻挡层的去除方法，其特征在于，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该阻挡层的去除方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阻挡层的去除方法，其特征在于，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该阻挡层的去除方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括金属层，该金属层形成在钴或钌层上并填满凹进区。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光方法去除金属层并在半导体结构上留下一连续的金属层，然后采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光方法去除非凹进区域上的金属层。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属层为铜层。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括介质层和形成在介质层上的硬掩膜层，所述凹进区形成在介质层和硬掩膜层上。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻挡层还包括另一层材料为钽、氮化钽、钛或氮化钛的阻挡层，该钽、氮化钽、钛或氮化钛层形成在硬掩膜层上和凹进区的侧壁和底部上，所述钴或钌层形成在该钽、氮化钽、钛或氮化钛层上。9.根据权利要求8所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金一诺，代迎伟，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31