氮化物半导体器件制造技术

氮化物半导体器件包括：衬底(1)；氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在上述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与上述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在上述第一氮化物半导体层(3)与上述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和绝缘膜(9)，其覆盖上述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si‑H键量为6.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体器件
本专利技术涉及氮化物半导体器件。
技术介绍
现有技术中，利用在由成分不同的多个层构成的氮化物半导体层叠结构的异质界面产生的二维电子气体(2DEG)的场效应晶体管中，产生电压施加时导通电阻发生变动的被称为电流崩塌(CurrentCollapse)现象，已知有通过在氮化物半导体的表面上层叠SiN(氮化硅)膜能够抑制上述电流崩塌。但是，抑制上述电流崩塌的效果受到SiN膜的特性的影响，所以正在进行各种研究和开发。在抑制上述电流崩塌的效果较高的SiN膜中，存在电流泄漏这样的缺点。为此，到目前为止，提案有将层叠在氮化物半导体的表面上的SiN膜形成为：通过含有较多的氢而具有抑制上述电流崩塌的作用的层、和氢较少而具有抑制泄漏电流的作用的层这样的双层构造。作为将这样的双层构造的SiN膜层叠在氮化物半导体的表面上的氮化物半导体器件，有在特开2008-205392号公报(专利文献1)中公开的半导体器件。在该专利文献1所公开的半导体器件中，在包含GaN电子渡越层、AlGaN电子供给层和GaN表面层的化合物半导体区域的表面上，层叠Si-H或者N-H的浓度较高的非化学计量的第一SiN膜、和Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底(1)；氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在所述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与所述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在所述第一氮化物半导体层(3)与所述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和绝缘膜(9)，其覆盖所述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si‑H键量为6.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.14 JP 2014-2100711.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底(1)；氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在所述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与所述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在所述第一氮化物半导体层(3)与所述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和绝缘膜(9)，其覆盖所述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si-H键量为6.0×1021cm-3以下的氮化硅构成。2.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于：构成所述绝缘膜(9)的所述氮化硅中的N-H键量为1.0×1021cm-3以上。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷本佳美，藤田耕一郎，井上雄史，木下多贺雄，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP