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本发明提供了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的...
该专利属于盛美半导体设备(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

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