包含具有亚芳基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结构的聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含具有亚芳基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
本专利技术涉及一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板(steppedsubstrate)上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，因此，可使得成膜后的晶片表面平坦。
技术介绍
半导体器件的制造中，可进行基于光刻工艺的微细加工。已知在该光刻工艺中，用KrF准分子激光、ArF准分子激光等紫外线激光对基板上的抗蚀剂层进行曝光时，存在下述问题：由于因该紫外线激光在基板表面反射而产生的驻波的影响，导致无法形成具有所期望的形状的抗蚀剂图案。为了解决该问题，采用了在基板与抗蚀剂层之间设置抗蚀剂下层膜(防反射膜)的方案。而且，作为用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，使用酚醛清漆树脂是已知的。例如，公开了含有具有将具有双酚基的化合物酚醛清漆化而得到的重复单元的树脂的光致抗蚀剂下层膜形成用材料(专利文献1)。此外，公开了包含在聚合物的主链中具有3个或3个以上稠合而成的芳香族环的聚合物的、可旋涂的防反射膜组合物(专利文献2)。另外，使用了利用了苯基萘基胺的酚醛清漆树脂(专利文献3)。还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，所述聚合物含有下述式(1)表示的单元结构，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.04 JP 2014-2245141.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，所述聚合物含有下述式(1)表示的单元结构，式(1)中，R1～R4各自独立地表示氢原子或甲基；X1表示可被烷基、氨基、或羟基取代的包含至少一个亚芳基的二价的有机基团。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，式(1)中，X1的定义中的亚芳基为亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚芴基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、或亚咔唑基。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，式(1)中，X1为式(2)表示的有机基团，式(2)中，A1表示亚苯基或亚萘基；A2表示亚苯基、亚萘基、或式(3)表示的有机基团；虚线表示连接键，式(3)中，A3及A4各自独立地表示亚苯基或亚萘基；虚线表示连接键。4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还包含交联剂。5.根据权利要求1～4中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本圭祐，坂本力丸，西卷裕和，远藤贵文，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP