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本发明提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结...
该专利属于日产化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产化学工业株式会社授权不得商用。

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