基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种易于搅拌和加热Si‐C溶液的SiC单晶的制造装置。该SiC单晶的制造装置具备能够容纳Si－C溶液(7)的坩埚(5)、晶种轴(6)、以及感应加热装置(3)。坩埚(5)能够容纳Si－C溶液(7)。坩埚(5)包括筒部(51)和底部(52)。筒部(51)具有外周面(51A)和内周面(51B)。底部(52)配置于筒部(51)的下端。底部(52)形成坩埚(5)的内底面(52B)。能够在晶种轴(6)的下端安装晶种(8)。感应加热装置(3)配置于坩埚(5)的筒部(51)的周围。感应加热装置(3)用于加热坩埚(5)和Si－C溶液(7)。外周面(51A)具有与筒部(51)的周向交叉地延伸的槽(10)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚
本专利技术涉及单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚。更详细而言，涉及基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚。
技术介绍
在SiC单晶的制造方法中，例如存在溶液生长法。在溶液生长法中，使安装于晶种轴的晶种与容纳于坩埚的Si－C溶液相接触。使Si－C溶液中的、晶种的附近部分为过冷状态，使SiC单晶在晶种上的晶体生长面生长。Si－C溶液是碳(C)溶解于Si或Si合金的熔体而成的溶液。在Si－C溶液的生成方法中，例如存在以下方法：将Si放入石墨坩埚中，利用感应加热装置来加热坩埚。感应加热装置例如是高频线圈。使安装于晶种轴的晶种的晶体生长面与生成了的Si－C溶液相接触而使SiC单晶生长。对于Si－C溶液，为了使溶液中的组分和溶液的温度分布均匀，优选在晶体生长中对Si－C溶液进行搅拌。利用高频线圈进行的加热对Si－C溶液施加洛伦兹力。因此，Si－C溶液进行流动并被搅拌。然而，若Si－C溶液的搅拌不充分，则溶液中的组分和溶液的温度分布难以保持均匀。在该情况下，容易产生SiC多晶。若SiC多晶附着于SiC单晶的晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC单晶的制造装置，其用于基于溶液生长法来制造SiC单晶，其中，该制造装置具备：坩埚，其能够容纳Si－C溶液，包括具有第1外周面和内周面的筒部以及配置于所述筒部的下端且形成内底面的底部；晶种轴，能够在该晶种轴的下端安装晶种；以及感应加热装置，其配置于所述坩埚的所述筒部的周围，用于对所述坩埚和所述Si－C溶液进行加热，所述第1外周面具有与所述筒部的周向交叉地延伸的第1槽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.17 JP 2014-2132331.一种SiC单晶的制造装置，其用于基于溶液生长法来制造SiC单晶，其中，该制造装置具备：坩埚，其能够容纳Si－C溶液，包括具有第1外周面和内周面的筒部以及配置于所述筒部的下端且形成内底面的底部；晶种轴，能够在该晶种轴的下端安装晶种；以及感应加热装置，其配置于所述坩埚的所述筒部的周围，用于对所述坩埚和所述Si－C溶液进行加热，所述第1外周面具有与所述筒部的周向交叉地延伸的第1槽。2.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造装置，其中，所述第1槽沿所述筒部的轴线方向延伸。3.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造装置，其中，所述第1槽的下端配置于比所述Si－C溶液的液面靠下方的位置。4.根据权利要求3所述的SiC单晶的制造装置，其中，所述第1槽在侧视时至少自所述坩埚的所述内底面延伸到所述Si－C溶液的液面。5.根据权利要求1至4中任一项所述的SiC单晶的制造装置，其中，所述底部包括：第2外周面，其与所述第1外周面相连；以及外底面，其配置于所述第2外周面的下端，所述内底面具有凹形状，所述第2外周面具有第2槽，该第2槽与所述筒部的周向交叉地延伸并随着朝向所述外底面去而变深。6.一种坩埚，其应用于基于溶液生长法来制造SiC单晶的制造装置，能够收纳Si－C溶液，其中，该坩埚包括：筒部，其具有第1外周面和内周面；以及底部，其配置于所述筒部的下端且形成内底面，所述筒部在所述第1外周面具有与所述筒部的周向...

【专利技术属性】
技术研发人员：龟井一人，岸田豊，楠一彦，大黑宽典，土井雅喜，
申请(专利权)人：新日铁住金株式会社，丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP