一种无包裹碳化硅晶体生长室制造技术

本实用新型专利技术提供了一种无包裹碳化硅晶体生长室，包括坩埚，所述坩埚底端中部向内凹进一个圆柱体，在坩埚外侧设置保温层，保温层底端中部设有与坩埚相匹配的圆柱凸起，在保温层内设置感应线圈，在坩埚上沿依次设置石墨滤网，定位块和圆环拱形凹槽，在上保温层内壁设置籽晶托，籽晶固定在籽晶托上。该装置可使碳化硅粉料均匀受热，石墨滤网可以较好的阻挡C颗粒的输送，同时保证碳化硅升华产生气体的通过，圆环拱形凹槽可以使热气体循环加热，减少碳化硅气体与保温层接触产生杂晶，有保证了碳化硅单晶的正常生长。

Non encapsulated silicon carbide crystal growth chamber

The utility model provides a package of SiC crystal growth chamber, including the crucible and the crucible bottom central recessed in a cylinder, thermal insulation layer is arranged on the outside of the crucible, the insulation layer at the bottom of the middle part is provided with a convex cylindrical matched with the crucible, should be set in the sense coil insulation layer, which are sequentially arranged graphite filter in the crucible, a positioning block and a circular arch groove in the upper insulating layer is arranged on the inner wall of the seed, seed fixed on the seed tray. The device can make the silicon carbide powder is heated evenly, graphite filter can stop conveying C particles effectively, and ensure the gas produced by silicon sublimation, circular arched groove can make the hot gas heating cycle, reduce the silicon carbide gas contact and thermal insulation layer to produce mixed crystal, to ensure the normal growth of silicon carbide single crystal.

【技术实现步骤摘要】
一种无包裹碳化硅晶体生长室
本技术属于晶体生长领域，具体涉及一种无包裹碳化硅晶体生长室。
技术介绍
碳化硅单晶材料是第三代宽带隙半导体材料的代表，具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，与以硅为代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料相比，有着明显的优越性，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件和高温电子器件等理想的半导体材料。在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化以及电力电子等方面有广泛应用。碳化硅单晶材料的生长比较困难，目前普遍采用物理气相沉积法，该方法中一般的原材料为碳化硅粉末，将碳化硅粉末加热到一定温度就会显著升华，而分解的碳化硅气体会沿着温度梯度输运并在碳化硅籽晶处凝聚。但是，碳化硅粉末升华需要很高的温度(＞2000℃)，很容易导致碳化硅粉末的碳化且碳化硅粉末可能会受热不均，而碳化硅粉末碳化后产生的微小C颗粒同样会沿着温度梯度输运并最终在碳化硅单晶中形成包裹物，影响最终碳化硅单晶质量。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提出了一种无包裹碳化硅晶体生长室，可以使碳化硅粉末受热均匀，可以较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无包裹碳化硅晶体生长室，包括坩埚(2)，保温层(1)，在上保温层(1)内壁设置籽晶托(9)，籽晶(10)固定在籽晶托(9)上，其特征在于：所述坩埚(2)底部向内凹进一个圆柱体，保温层(1)底端中部设有与坩埚(2)相匹配的圆柱凸起，在保温层(1)内设置感应线圈(3)，在坩埚(2)上沿设置石墨滤网(5)，在石墨滤网(5)两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层(6)，在石墨滤网(5)上放置定位块(7)，在定位块(7)上设置圆环状拱形凹槽(8)。

【技术特征摘要】
1.一种无包裹碳化硅晶体生长室，包括坩埚(2)，保温层(1)，在上保温层(1)内壁设置籽晶托(9)，籽晶(10)固定在籽晶托(9)上，其特征在于：所述坩埚(2)底部向内凹进一个圆柱体，保温层(1)底端中部设有与坩埚(2)相匹配的圆柱凸起，在保温层(1)内设置感应线圈(3)，在坩埚(2)上沿设置石墨滤网(5)，在石墨滤网(5)两侧表面均涂有耐高温金属化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋生，宗艳民，高玉强，柏文文，朱灿，
申请(专利权)人：山东天岳晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37