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本实用新型提供了一种无包裹碳化硅晶体生长室，包括坩埚，所述坩埚底端中部向内凹进一个圆柱体，在坩埚外侧设置保温层，保温层底端中部设有与坩埚相匹配的圆柱凸起，在保温层内设置感应线圈，在坩埚上沿依次设置石墨滤网，定位块和圆环拱形凹槽，在上保温层内...
该专利属于山东天岳晶体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳晶体材料有限公司授权不得商用。

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