碳化硅基板、其制造方法和制造碳化硅半导体装置的方法制造方法及图纸

一种碳化硅基板，其由碳化硅构成，且当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。

Silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

A silicon carbide substrate consisting of silicon carbide and whose total length is equal to or less than the diameter of the linear etch pit observed on the main surface when etching the main surface with chlorine.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅基板、其制造方法和制造碳化硅半导体装置的方法
本公开涉及碳化硅基板、其制造方法和制造碳化硅半导体装置的方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)基板可以用于制造半导体装置。具体地，例如通过在碳化硅基板上经由外延生长形成由碳化硅构成的半导体层且进一步在半导体层上形成电极等可以制造诸如二极管或晶体管的半导体装置。通过外延生长在碳化硅基板上形成的半导体层的品质受到在其上形成半导体层的碳化硅基板的主表面的表面粗糙度的很大影响。因此，对要通过外延生长在其上形成半导体层的碳化硅基板的主表面进行诸如机械抛光(MP)或化学机械抛光(CMP)的抛光。这确保要在其上形成半导体层的主表面的平滑度，且可以外延生长高品质的半导体层。此外，关于碳化硅基板的抛光，为了确保主表面的平滑度而进行了各种研究(例如，参考专利文献1和专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-238891号公报专利文献2：日本特开2012-248569号公报
技术实现思路
本公开的碳化硅基板由碳化硅构成，且当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。制造本公开的碳化硅基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.27 JP 2014-2401061.一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。2.根据权利要求1所述的碳化硅基板，其中，所述碳化硅具有六方晶体结构，且所述主表面为相对于Si面具有小于8度的偏角的晶面。3.一种制造碳化硅基板的方法，其包括：准备原料基板的步骤；和通过化学机械抛光将所述原料基板的主表面抛光的步骤；其中所述通过化学机械抛光将所述主表面抛光的步骤包括通过使用具有超过5质量％的高锰酸根离子浓度的抛光液将所述主表面化学机械抛光的步骤。4.根据权利要求3所述的制造碳化硅基板的方法，其中，所述高锰酸根离子浓度为10质量％以上。5.根据权利要求3所述的制造碳化硅基板的方法，其中，所述抛光液的温度为35℃以上。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：本家翼，冲田恭子，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP