铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法技术

本发明专利技术公开铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法。具体提供一种电路加工性良好，即使用于高频电路基板也良好地抑制传输损耗的铜箔及覆铜层压板。一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，并且该铜箔在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后或在300℃加热30分钟之后具有层状结构。

【技术实现步骤摘要】
铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法
本专利技术涉及一种铜箔、覆铜层压板、印刷配线板的制造方法、电子机器的制造方法、传输线的制造方法及天线的制造方法。
技术介绍
印刷配线板在这半个世纪取得了很大进展，现今已经用于几乎所有电子机器。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，向搭載零件的高密度实装化或信号的高频化方向发展，对印刷配线板要求优异的高频应对性。对于高频用基板，为了确保输出信号的品质，而要求降低传输损耗。传输损耗主要包括由树脂(基板侧)引起的介电质损耗和由导体(铜箔侧)引起的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗角正切越小，介电质损耗越减少。在高频信号下，导体损耗的主要原因为：频率越高，因电流仅在导体的表面流通的趋肤效应，流通电流的剖面积越减少，电阻越变高。因此，在形成高频电路的情况下，需要以较通常更良好的精度形成电路，而变得需要优异的电路加工性。作为使高频用铜箔的传输损耗降低的技术，例如专利文献1中披露了一种高频电路用金属箔，其是在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金属，并在该银或银合金被覆层之上施加厚度薄于所述银或银合金被覆层的银或银合金以外的被覆层。并且记载了，根据该高频电路用金属箔，可提供即使在卫星通信所使用的超高频区域也会减小由趋肤效应引起的损耗的金属箔。另外，专利文献2中披露了一种高频电路用粗化处理压延铜箔，其特征在于：其是印刷电路基板用材料，并且压延铜箔在再结晶退火后的压延面的通过X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I(200))相对于通过微粉末铜的X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I0(200))，I(200)/I0(200)＞40，通过电解镀敷对该压延面进行粗化处理后的粗化处理面的算术平均粗糙度Ra为0.02μm～0.2μm，十点平均粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm。并且记载了，根据该高频电路用粗化处理压延铜箔，可提供能够在超过1GHz的高频率下使用的印刷电路板。此外，专利文献3中披露了一种电解铜箔，其特征在于：铜箔的表面的一部分是由圆块状突起构成的表面粗度为2～4μm的凹凸面。并且记载了，根据该电解铜箔，可提供高频传输特性优异的电解铜箔。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利第4161304号公报[专利文献2]日本专利第4704025号公报[专利文献3]日本特开2004-244656号公报
技术实现思路
如上所述，在高频信号下，导体损耗的主要原因为：频率越高，因电流仅在导体的表面流通的趋肤效应，流通电流的剖面积越减少，电阻越变高。此外，传输损耗也会因特性阻抗的失配而引起，所以对于铜箔，除了要求降低导体损耗以外，还要求电路的特性阻抗匹配性。本专利技术者发现，该电路的特性阻抗的偏差可通过提升电路宽度精度、即提升电路加工性而良好地得到抑制。本专利技术是鉴于所述情况专利技术而成，其目的在于提供电路加工性良好，即使用于高频电路基板也良好地抑制传输损耗的铜箔及覆铜层压板。[解决问题的技术手段]本专利技术者为了解决所述问题而进行了努力研究，结果发现：以对铜箔的光泽面侧的表面进行特定的粗糙度控制，且对铜箔进行特定的加热后，仍维持进行加热前的铜箔的层状结构的方式加以控制，由此解决所述问题。本专利技术是基于所述见解而完成的，在一个态样中是一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后或在300℃加热30分钟之后具有层状结构。本专利技术在另一个态样中是一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在200℃加热30分钟之前或在130℃加热30分钟之前具有层状结构，且在所述200℃加热30分钟之后或在所述130℃加热30分钟之后维持层状结构。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在200℃加热30分钟时或在130℃加热30分钟时，所述加热后的光泽面侧表面的I(220)/I0(220)为1以上。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在300℃加热30分钟之后具有层状结构。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在300℃加热30分钟之前具有层状结构，且在所述300℃加热30分钟的情况下维持进行所述加热之前的层状结构。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在300℃加热30分钟时，所述加热后的光泽面侧表面的I(220)/I0(220)为1以上。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下。本专利技术在又一个态样中是一种铜箔，针对在300℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。本专利技术的铜箔在一个实施方式中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。本专利技术的铜箔在另一个实施方式中，所述铜箔为压延铜箔。本专利技术的铜箔在又一个实施方式中，用于和介电常数为3.5以下的树脂接合。本专利技术的铜箔在又一个实施方式中，用于和液晶聚合物或氟树脂接合。本专利技术的铜箔在又一个实施方式中，用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后或在300℃加热30分钟之后具有层状结构。

【技术特征摘要】
2016.01.15 JP 2016-0056441.一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后或在300℃加热30分钟之后具有层状结构。2.根据权利要求1所述的铜箔，其满足下述(1)至(5)中的任2项以上，(1)在200℃加热30分钟之前或在130℃加热30分钟之前具有层状结构，且在所述200℃加热30分钟之后或在所述130℃加热30分钟之后维持层状结构；(2)在200℃加热30分钟时或在130℃加热30分钟时，所述加热后的光泽面侧表面的I(220)/I0(220)为1以上；(3)在300℃加热30分钟之后具有层状结构；(4)在300℃加热30分钟之前具有层状结构，且在所述300℃加热30分钟时，维持进行所述加热之前的层状结构；(5)在300℃加热30分钟时，所述加热后的光泽面侧表面的I(220)/I0(220)为1以上。3.根据权利要求1所述的铜箔，其满足下述(6)至(11)中的任1项以上，(6)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下；(7)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下；(8)针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下；(9)针对在300℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下；(10)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下；(11)针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。4.根据权利要求2所述的铜箔，其满足下述(6)至(11)中的任1项以上，(6)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下；(7)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下；(8)针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下；(9)针对在300℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下；(10)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下；(11)针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。5.根据权利要求3所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。6.根据权利要求4所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。7.一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在200℃加热30分钟之前或在130℃加热30分钟之前具有层状结构，且在所述200℃加热30分钟之后或在所述130℃加热30分钟之后维持层状结构。8.一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在200℃加热30分钟时或在130℃加热30分钟时，所述加热后的光泽面侧表面的I(220)/I0(220)为1以上。9.一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在300℃加热30分钟之后具有层状结构。10.一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在300℃加热30分钟之前具有层状结构，且在所述300℃加热30分钟的情况下，维持进行所述加热之前的层状结构。11.一种铜箔，针对铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下，该铜箔在300℃加热30分钟时，所述加热后的光泽面侧表面的I(220)/I0(220)为1以上。12.一种铜箔，针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。13.根据权利要求12所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。14.一种铜箔，针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下。15.根据权利要求14所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。16.一种铜箔，针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。17.根据权利要求16所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。18.一种铜箔，针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。19.根据权利要求18所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。20.一种铜箔，针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为0.80μm以下。21.根据权利要求20所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。22.一种铜箔，针对在300℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。23.根据权利要求22所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。24.一种铜箔，其满足以下的(12)至(15)中的任1项以上，(12)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra及表面粗糙度Rz满足以下的(12-1)或(12-2)的任一项，(12-1)表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且表面粗糙度Rz为1.30μm以下，(12-2)表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且表面粗糙度Rz为0.80μm以下；(13)针对在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下；(14)针对在300℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra及表面粗糙度Rz满足以下的(14-1)或(14-2)的任一项，(14-1)表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且表面粗糙度Rz为1.30μm以下，(14-2)表面粗糙度Ra为0.15μm以下，且表面粗糙度Rz为0.80μm以下；(15)针对在300℃加热30分钟之后，利用过硫酸钠系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面，利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.22μm以下，且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.30μm以下。25.根据权利要求24所述的铜箔，其中，通过所述半蚀刻而除去的铜箔的厚度为6μm或所述铜箔在所述半蚀刻前的厚度的一半厚度。26.根据权利要求1至25中任一项所述的铜箔，其满足以下的(a.1-1)至(a.1-6)中的任一项、任两项、任三项、任四项、任五项或任六项，(a.1-1)在200℃加热30分钟之前的结晶的平均厚度满足以下的(a.1-1-1)至(a.1-1-12)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项或任12项，(a.1-1-1)1.0μm以下，(a.1-1-2)0.8μm以下，(a.1-1-3)0.7μm以下，(a.1-1-4)0.6μm以下，(a.1-1-5)0.5μm以下，(a.1-1-6)0.4μm以下，(a.1-1-7)0.38μm以下，(a.1-1-8)0.35μm以下，(a.1-1-9)0.001μm以上，(a.1-1-10)0.01μm以上，(a.1-1-11)0.02μm以上，(a.1-1-12)0.03μm以上；(a.1-2)在130℃加热30分钟之前的结晶的平均厚度满足以下的(a.1-2-1)至(a.1-2-12)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项或任12项，(a.1-2-1)1.0μm以下，(a.1-2-2)0.8μm以下，(a.1-2-3)0.7μm以下，(a.1-2-4)0.6μm以下，(a.1-2-5)0.5μm以下，(a.1-2-6)0.4μm以下，(a.1-2-7)0.38μm以下，(a.1-2-8)0.35μm以下，(a.1-2-9)0.001μm以上，(a.1-2-10)0.01μm以上，(a.1-2-11)0.02μm以上，(a.1-2-12)0.03μm以上；(a.1-3)在300℃加热30分钟之前的结晶的平均厚度满足以下的(a.1-3-1)至(a.1-3-12)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项或任12项，(a.1-3-1)1.0μm以下，(a.1-3-2)0.8μm以下，(a.1-3-3)0.7μm以下，(a.1-3-4)0.6μm以下，(a.1-3-5)0.5μm以下，(a.1-3-6)0.4μm以下，(a.1-3-7)0.38μm以下，(a.1-3-8)0.35μm以下，(a.1-3-9)0.001μm以上，(a.1-3-10)0.01μm以上，(a.1-3-11)0.02μm以上，(a.1-3-12)0.03μm以上；(a.1-4)在200℃加热30分钟之后的结晶的平均厚度满足以下的(a.1-4-1)至(a.1-4-12)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项或任12项，(a.1-4-1)1.0μm以下，(a.1-4-2)0.8μm以下，(a.1-4-3)0.7μm以下，(a.1-4-4)0.6μm以下，(a.1-4-5)0.5μm以下，(a.1-4-6)0.4μm以下，(a.1-4-7)0.38μm以下，(a.1-4-8)0.35μm以下，(a.1-4-9)0.001μm以上，(a.1-4-10)0.01μm以上，(a.1-4-11)0.02μm以上，(a.1-4-12)0.03μm以上；(a.1-5)在130℃加热30分钟之后的结晶的平均厚度满足以下的(a.1-5-1)至(a.1-5-12)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项或任12项，(a.1-5-1)1.0μm以下，(a.1-5-2)0.8μm以下，(a.1-5-3)0.7μm以下，(a.1-5-4)0.6μm以下，(a.1-5-5)0.5μm以下，(a.1-5-6)0.4μm以下，(a.1-5-7)0.38μm以下，(a.1-5-8)0.35μm以下，(a.1-5-9)0.001μm以上，(a.1-5-10)0.01μm以上，(a.1-5-11)0.02μm以上，(a.1-5-12)0.03μm以上；(a.1-6)在300℃加热30分钟之后的结晶的平均厚度满足以下的(a.1-6-1)至(a.1-6-12)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项或任12项，(a.1-6-1)1.0μm以下，(a.1-6-2)0.8μm以下，(a.1-6-3)0.7μm以下，(a.1-6-4)0.6μm以下，(a.1-6-5)0.5μm以下，(a.1-6-6)0.4μm以下，(a.1-6-7)0.38μm以下，(a.1-6-8)0.35μm以下，(a.1-6-9)0.001μm以上，(a.1-6-10)0.01μm以上，(a.1-6-11)0.02μm以上，(a.1-6-12)0.03μm以上。27.根据权利要求1至25中任一项所述的铜箔，其满足以下的(a.2-1)至(a.2-3)中的任一项、任两项或任三项，(a.2-1)在200℃加热30分钟之后的层状结构的面积率满足以下的(a.2-1-1)至(a.2-1-22)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项、任14项、任15项、任16项、任17项、任18项、任19项、任20项、任21项或任22项，(a.2-1-1)10％以上，(a.2-1-2)15％以上，(a.2-1-3)20％以上，(a.2-1-4)25％以上，(a.2-1-5)30％以上，(a.2-1-6)35％以上，(a.2-1-7)40％以上，(a.2-1-8)45％以上，(a.2-1-9)50％以上，(a.2-1-10)55％以上，(a.2-1-11)60％以上，(a.2-1-12)65％以上，(a.2-1-13)70％以上，(a.2-1-14)75％以上，(a.2-1-15)80％以上，(a.2-1-16)85％以上，(a.2-1-17)90％以上，(a.2-1-18)95％以上，(a.2-1-19)100％以下，(a.2-1-20)99.5％以下，(a.2-1-21)99％以下，(a.2-1-22)98.5％以下；(a.2-2)在130℃加热30分钟之后的层状结构的面积率满足以下的(a.2-2-1)至(a.2-2-22)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项、任14项、任15项、任16项、任17项、任18项、任19项、任20项、任21项或任22项，(a.2-2-1)10％以上，(a.2-2-2)15％以上，(a.2-2-3)20％以上，(a.2-2-4)25％以上，(a.2-2-5)30％以上，(a.2-2-6)35％以上，(a.2-2-7)40％以上，(a.2-2-8)45％以上，(a.2-2-9)50％以上，(a.2-2-10)55％以上，(a.2-2-11)60％以上，(a.2-2-12)65％以上，(a.2-2-13)70％以上，(a.2-2-14)75％以上，(a.2-2-15)80％以上，(a.2-2-16)85％以上，(a.2-2-17)90％以上，(a.2-2-18)95％以上，(a.2-2-19)100％以下，(a.2-2-20)99.5％以下，(a.2-2-21)99％以下，(a.2-2-22)98.5％以下；(a.2-3)在300℃加热30分钟之后的层状结构的面积率满足以下的(a.2-3-1)至(a.2-3-22)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项、任14项、任15项、任16项、任17项、任18项、任19项、任20项、任21项或任22项，(a.2-3-1)10％以上，(a.2-3-2)15％以上，(a.2-3-3)20％以上，(a.2-3-4)25％以上，(a.2-3-5)30％以上，(a.2-3-6)35％以上，(a.2-3-7)40％以上，(a.2-3-8)45％以上，(a.2-3-9)50％以上，(a.2-3-10)55％以上，(a.2-3-11)60％以上，(a.2-3-12)65％以上，(a.2-3-13)70％以上，(a.2-3-14)75％以上，(a.2-3-15)80％以上，(a.2-3-16)85％以上，(a.2-3-17)90％以上，(a.2-3-18)95％以上，(a.2-3-19)100％以下，(a.2-3-20)99.5％以下，(a.2-3-21)99％以下，(a.2-3-22)98.5％以下。28.根据权利要求26所述的铜箔，其满足以下的(a.21-1)至(a.21-3)中的任一项、任两项或任三项，(a.21-1)在200℃加热30分钟之后的层状结构的面积率满足以下的(a.21-1-1)至(a.21-1-22)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项、任14项、任15项、任16项、任17项、任18项、任19项、任20项、任21项或任22项，(a.21-1-1)10％以上，(a.21-1-2)15％以上，(a.21-1-3)20％以上，(a.21-1-4)25％以上，(a.21-1-5)30％以上，(a.21-1-6)35％以上，(a.21-1-7)40％以上，(a.21-1-8)45％以上，(a.21-1-9)50％以上，(a.21-1-10)55％以上，(a.21-1-11)60％以上，(a.21-1-12)65％以上，(a.21-1-13)70％以上，(a.21-1-14)75％以上，(a.21-1-15)80％以上，(a.21-1-16)85％以上，(a.21-1-17)90％以上，(a.21-1-18)95％以上，(a.21-1-19)100％以下，(a.21-1-20)99.5％以下，(a.21-1-21)99％以下，(a.21-1-22)98.5％以下；(a.21-2)在130℃加热30分钟之后的层状结构的面积率满足以下的(a.21-2-1)至(a.21-2-22)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项、任14项、任15项、任16项、任17项、任18项、任19项、任20项、任21项或任22项，(a.21-2-1)10％以上，(a.21-2-2)15％以上，(a.21-2-3)20％以上，(a.21-2-4)25％以上，(a.21-2-5)30％以上，(a.21-2-6)35％以上，(a.21-2-7)40％以上，(a.21-2-8)45％以上，(a.21-2-9)50％以上，(a.21-2-10)55％以上，(a.21-2-11)60％以上，(a.21-2-12)65％以上，(a.21-2-13)70％以上，(a.21-2-14)75％以上，(a.21-2-15)80％以上，(a.21-2-16)85％以上，(a.21-2-17)90％以上，(a.21-2-18)95％以上，(a.21-2-19)100％以下，(a.21-2-20)99.5％以下，(a.21-2-21)99％以下，(a.21-2-22)98.5％以下；(a.21-3)在300℃加热30分钟之后的层状结构的面积率满足以下的(a.2-3-1)至(a.2-3-22)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项、任14项、任15项、任16项、任17项、任18项、任19项、任20项、任21项或任22项，(a.21-3-1)10％以上，(a.21-3-2)15％以上，(a.21-3-3)20％以上，(a.21-3-4)25％以上，(a.21-3-5)30％以上，(a.21-3-6)35％以上，(a.21-3-7)40％以上，(a.21-3-8)45％以上，(a.21-3-9)50％以上，(a.21-3-10)55％以上，(a.21-3-11)60％以上，(a.21-3-12)65％以上，(a.21-3-13)70％以上，(a.21-3-14)75％以上，(a.21-3-15)80％以上，(a.21-3-16)85％以上，(a.21-3-17)90％以上，(a.21-3-18)95％以上，(a.21-3-19)100％以下，(a.21-3-20)99.5％以下，(a.21-3-21)99％以下，(a.21-3-22)98.5％以下。29.根据权利要求1至25中任一项所述的铜箔，其中，所述铜箔合计包含10质量ppm以上的选自由Sn、Ag、In、Au、Pd、P、Ti、B、V、Cr、Fe、Zr、Mn、Mo、Co、Ni、Zn、Si、C、W、As、Ca、Al、Cl、Be、N、S、F、Sr、Ba、Sc、Y、Ga、Ge、Se、Br、Nb、Ta、Ru、Rh、Cd、Sb、Bi、I及Mg所组成的群中的一种以上的元素。30.根据权利要求26所述的铜箔，其中，所述铜箔合计包含10质量ppm以上的选自由Sn、Ag、In、Au、Pd、P、Ti、B、V、Cr、Fe、Zr、Mn、Mo、Co、Ni、Zn、Si、C、W、As、Ca、Al、Cl、Be、N、S、F、Sr、Ba、Sc、Y、Ga、Ge、Se、Br、Nb、Ta、Ru、Rh、Cd、Sb、Bi、I及Mg所组成的群中的一种以上的元素。31.根据权利要求27所述的铜箔，其中，所述铜箔合计包含10质量ppm以上的选自由Sn、Ag、In、Au、Pd、P、Ti、B、V、Cr、Fe、Zr、Mn、Mo、Co、Ni、Zn、Si、C、W、As、Ca、Al、Cl、Be、N、S、F、Sr、Ba、Sc、Y、Ga、Ge、Se、Br、Nb、Ta、Ru、Rh、Cd、Sb、Bi、I及Mg所组成的群中的一种以上的元素。32.根据权利要求28所述的铜箔，其中，所述铜箔合计包含10质量ppm以上的选自由Sn、Ag、In、Au、Pd、P、Ti、B、V、Cr、Fe、Zr、Mn、Mo、Co、Ni、Zn、Si、C、W、As、Ca、Al、Cl、Be、N、S、F、Sr、Ba、Sc、Y、Ga、Ge、Se、Br、Nb、Ta、Ru、Rh、Cd、Sb、Bi、I及Mg所组成的群中的一种以上的元素。33.根据权利要求1至25中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔的光泽面侧的表面满足以下的(a.4-1)或(a.4-2)中的任一项或任两项，(a.4-1)利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra满足以下的(a.4-1-1)至(a.4-1-14)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项或任14项，(a.4-1-1)0.24μm以下(a.4-1-2)0.20μm以下(a.4-1-3)0.15μm以下(a.4-1-4)0.14μm以下(a.4-1-5)0.13μm以下(a.4-1-6)0.10μm以下(a.4-1-7)0.09μm以下(a.4-1-8)0.08μm以下(a.4-1-9)0.06μm以下(a.4-1-10)0.001μm以上(a.4-1-11)0.005μm以上(a.4-1-12)0.009μm以上(a.4-1-13)0.010μm以上(a.4-1-14)0.015μm以上；(a.4-2)利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz满足以下的(a.4-2-1)至(a.4-2-15)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项、任12项、任13项、任14项或任15项，(a.4-2-1)1.0μm以下(a.4-2-2)0.80μm以下(a.4-2-3)0.70μm以下(a.4-2-4)0.66μm以下(a.4-2-5)0.55μm以下(a.4-2-6)0.54μm以下(a.4-2-7)0.50μm以下(a.4-2-8)0.001μm以上(a.4-2-9)0.005μm以上(a.4-2-10)0.009μm以上(a.4-2-11)0.010μm以上(a.4-2-12)0.015μm以上(a.4-2-13)0.05μm以上(a.4-2-14)0.07μm以上(a.4-2-15)0.09μm以上。34.根据权利要求1至25中任一项所述的铜箔，其满足以下的(a.5-1)至(a.5-6)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项或任6项，(a.5-1)在200℃加热30分钟之后，利用硫酸过氧化氢混合物系蚀刻液进行半蚀刻后的所述铜箔的光泽面侧的表面满足以下的(a.5-1-1)或(a.5-1-2)中的任一项或任两项，(a.5-1-1)利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra满足以下的(a.5-1-1-1)至(a.5-1-1-12)中的任1项、任2项、任3项、任4项、任5项、任6项、任7项、任8项、任9项、任10项、任11项或任12项，(a.5-1-1-1)0.21μm以下(a.5-1-1-2)0.20μm以下(a.5-1-1-3)0.15μm以下(a.5-1-1-4)0...

【专利技术属性】
技术研发人员：福地亮，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP