System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 铜粉制造技术_技高网

铜粉制造技术

技术编号:40200110 阅读:4 留言:0更新日期:2024-01-27 00:04
本发明专利技术涉及一种铜粉,其包含铜粒子,所述铜粉的振实密度为1.30g/cm<supgt;3</supgt;~2.96g/cm<supgt;3</supgt;,在铜粒子的体积基准的粒径直方图中累积频率成为50%时的50%粒径D50与微晶直径D满足D/D50≥0.060,所述微晶直径D根据针对所述铜粉的通过粉末X射线衍射法得到的X射线衍射轮廓中的Cu(111)面的衍射峰,使用谢乐公式求出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本说明书公开一种关于铜粉的技术。


技术介绍

1、对于包含铜粉,在利用印刷进行的基材上的电路形成、半导体元件与基材的接合等中使用的导电性糊剂,存在使用时使构成所述铜粉的铜粒子彼此通过加热而烧结的烧结型的导电性糊剂。

2、烧结型的导电性糊剂要求铜粉通过较低温度的加热而烧结。这是因为,在加热时的温度高的情况下,其热可能对基材、半导体元件造成影响。此外,在高温下加热后的冷却时,在基材或半导体元件产生大的热应力,这也可能使电路、半导体元件的电特性发生变化。

3、关于此,专利文献1以“提供一种即使在将大面积的构件在较低温度下接合的情况下,也能得到充分的接合强度的导电性涂布材料”为目的,公开了“一种导电性涂布材料,其用于将半导体元件与基材接合,所述导电性涂布材料包含金属粉、非热固型树脂以及分散介质,在25℃下,剪切速度为0.01~100[/s]的范围内的剪切应力相对于剪切速度单调递增,金属粉的体积密度小于3[g/cm3]”。

4、在专利文献2中记载了“一种铜粉体,其包含多个铜粒子,所述多个铜粒子的体积基准的粒径直方图中的累积频率成为50%时的粒径d50为100nm以上且500nm以下,所述多个铜粒子的平均微晶直径d与所述d50之比d/d50为0.10以上且0.50以下”。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本专利第6563617号公报

8、专利文献2:日本特开2020-180328号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、关于铜粉的低温烧结虽然进行了各种研究开发,但有时要求在更进一步的低温下烧结。

3、在本说明书中,公开了一种具有优异的低温烧结性的铜粉。

4、用于解决问题的方案

5、本说明书中公开的铜粉包含铜粒子,所述铜粉的振实密度为1.30g/cm3~2.96g/cm3,在铜粒子的体积基准的粒径直方图中累积频率成为50%时的50%粒径d50与微晶直径d满足d/d50≥0.060,所述微晶直径d根据针对所述铜粉的通过粉末x射线衍射法得到的x射线衍射轮廓中的cu(111)面的衍射峰,使用谢乐公式求出。

6、专利技术效果

7、上述的铜粉具有优异的低温烧结性。

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【技术保护点】

1.一种铜粉,其包含铜粒子,

2.根据权利要求1所述的铜粉,其中,

3.根据权利要求1或2所述的铜粉,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的铜粉,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种铜粉,其包含铜粒子,

2.根据权利要求1所述的铜粉,其中,

3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:土桥礼奈折笠广典
申请(专利权)人:JX金属株式会社
类型:发明
国别省市:

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