用于制造静态随机存取存储器件的方法技术

本发明专利技术的实施例提供了制造SRAM器件的方法。在制造SRAM器件的方法中，在衬底上方形成绝缘层。在绝缘层上方形成第一伪图案。在第一伪图案的侧壁上形成作为第二伪图案的侧壁间隔件层。去除第一伪图案，从而在绝缘层上方留下第二伪图案。在去除第一伪图案之后，分割第二伪图案。在绝缘层上方以及在分割的第二伪图案之间形成掩模层。在形成掩模层之后，去除多块第二掩模图案，从而形成具有对应于图案化的第二伪图案的开口的硬掩模层。通过将硬掩模层用作蚀刻掩模形成绝缘层，从而在绝缘层中形成贯通开口。在贯通开口中填充导电材料，从而形成接触条。

【技术实现步骤摘要】
用于制造静态随机存取存储器件的方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及用于制造具有鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的SRAM(静态随机存取存储器)的方法。
技术介绍
在追求更高的器件密度、更高的性能、更低功耗和更低的成本的过程中，半导体工业在已经进入到纳米级技术工艺节点，来自制造和设计问题的挑战已经催生了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。在FinFET器件中，利用附加侧壁以及抑制短沟道效应是有可能的。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造包括多个SRAM单元的静态随机存取存储器(SRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成绝缘层；在所述绝缘层上方形成第一伪图案；在所述第一伪图案的侧壁上形成作为第二伪图案的侧壁间隔件层；去除所述第一伪图案，从而在所述绝缘层上方留下所述第二伪图案；在去除所述第一伪图案之后，将所述第二伪图案的每一个分割成多块第二伪图案；在所述绝缘层上方以及在所述多块第二伪图案之间形成掩模层；在形成所述掩模层之后，去除所述多块第二伪图案，从而形成具有对应于所述多块第二伪图案的开口的硬掩模层；通过将所述硬掩模层用作蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造包括多个静态随机存取存储单元的静态随机存取存储(SRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成绝缘层；在所述绝缘层上方形成第一伪图案；在所述第一伪图案的侧壁上形成作为第二伪图案的侧壁间隔件层；去除所述第一伪图案，从而在所述绝缘层上方留下所述第二伪图案；在去除所述第一伪图案之后，将所述第二伪图案的每一个分割成多块第二伪图案；在所述绝缘层上方以及在所述多块第二伪图案之间形成掩模层；在形成所述掩模层之后，去除所述多块第二伪图案，从而形成具有对应于所述多块第二伪图案的开口的硬掩模层；通过将所述硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化所述绝缘层，从而在所述绝缘层中形成贯通开口；以及在所述贯通开口中填充导...

【技术特征摘要】
2015.12.03 US 14/958,5921.一种制造包括多个静态随机存取存储单元的静态随机存取存储(SRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成绝缘层；在所述绝缘层上方形成第一伪图案；在所述第一伪图案的侧壁上形成作为第二伪图案的侧壁间隔件层；去除所述第一伪图案，从而在所述绝缘层上方留下所述第二伪图案；在去除所述第一伪图案之后，将所述第二伪图案的每一个分割成多块第二伪图案；在所述绝缘层上方以及在所述多块第二伪图案之间形成掩模层；在形成所述掩模层之后，去除所述多块第二伪图案，从而形成具有对应于所述多块第二伪图案的开口的硬掩模层；通过将所述硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化所述绝缘层，从而在所述绝缘层中形成贯通开口；以及在所述贯通开口中填充导电材料，从而形成接触条。2.根据权利要求1所述的方法，其中：形成所述第一伪图案包括：在所述绝缘层上方形成第一材料层；在所述第一材料层上方形成光刻胶层；通过使用第一光掩模来图案化所述光刻胶层，和通过将图案化的所述光刻胶层用作蚀刻掩模来图案化所述第一材料层，从而形成所述第一伪图案，以及在所述第一光掩模中，仅有一个在所述静态随机存取存储器件的行方向上延伸的矩形图案包括在对应于所述多个静态随机存取存储单位单元的每一个的区域中。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在对应于所述多个静态随机存取存储单位单元的每一个的区域中，一个所述第二伪图案设置在所述区域中，并且两个所述第二伪图案设置在所述区域的在行方向上延伸的上边界和下边界上。4.根据权利要求1所述的方法，其中：所述静态随机存取存储单位单元的每一个均包括六个鳍式场效应晶体管(FinFET)，以及所述接触条连接至所述鳍式场效应晶体管的源极和漏极。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一伪图案由不同于所述第二伪图案的材料制成。6.一种制造包括多个静态随机存取存储单元的静态随机存取存储器(SRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成绝缘层；在所述绝缘层上方形成第一掩模层；在所述第一掩模层上方形成第一伪图案；在所述第一伪图案的侧壁上形成作为第二伪图案的侧壁间隔件层；去除所述第一伪图案，从而在所述第一掩模层上方留下所述第二伪图案；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71