一种TO金属陶瓷管壳结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种TO金属陶瓷管壳结构
本专利技术涉及半导体器件
，具体为一种TO金属陶瓷管壳结构。
技术介绍
半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。目前，进口TO外形功率MOSFET等半导体分立器件均为塑料封装形式，塑封产品被公认为非密封器件，国内专家已提出了高质量等级产品禁用塑封器件的要求。为了满足我国军用高可靠应用领域及国防重点工程的产品配套，需要用金属陶瓷封装结构取代塑封结构。当前国内普通TO金属管壳结构，其内部只有一个大焊接区，用来焊接芯片，其内部电极引出端与外部三根外引线为一体，中...
【技术保护点】
一种TO金属陶瓷管壳结构，包括管壳壳体、内部电极（1）和外部电极（2）；其特征在于：所述管壳壳体包括矩形铁镍合金边框（3）、安装在矩形铁镍合金边框（3）底部的钨铜底板（4）以及烧结在钨铜底板（4）顶部的氧化铍绝缘片（5）；所述内部电极（1）包括第一钼铜电极片（6）和第二钼铜电极片（7），且第一钼铜电极片（6）和第二钼铜电极片（7）分别烧结在氧化铍绝缘片（5）之上；所述外部电极（2）包括第一电极片（8）、第二电极片（9）和第三电极片（10），且第一电极片（8）、第二电极片（9）和第三电极片（10）与管壳壳体之间通过陶瓷绝缘子（11）烧结构成；所述第一电极片（8）在管壳壳体内部...
【技术特征摘要】
1.一种TO金属陶瓷管壳结构，包括管壳壳体、内部电极（1）和外部电极（2）；其特征在于：所述管壳壳体包括矩形铁镍合金边框（3）、安装在矩形铁镍合金边框（3）底部的钨铜底板（4）以及烧结在钨铜底板（4）顶部的氧化铍绝缘片（5）；所述内部电极（1）包括第一钼铜电极片（6）和第二钼铜电极片（7），且第一钼铜电极片（6）和第二钼铜电极片（7）分别烧结在氧化铍绝缘片（5）之上；所述外部电极（2）包括第一电极片（8）、第二电极片（9）和第三电极片（10），且第一电极片（8）、第二电极片（9）和第三电极片（10）与管壳壳体之间通过陶瓷绝缘子（11）烧结构成；所述第一电极片（8）在管壳壳体内部悬空；所述第二电极片（9）和第三电极片（10）分别通过铜柱（12）与第一钼铜电极片（6）和第二钼铜电极片（7）烧结；所述管壳壳体表面的镀层为镍层。2.根据权利要求1所述的一种TO金属陶瓷管壳结构，其特征在于：所述第一钼铜电极片（6）的尺寸为9.5mm×9.2mm，所述第二钼铜电极片（7）的尺寸为2...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志福，
申请(专利权)人：朝阳无线电元件有限责任公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
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