电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，所述电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构由电子倍增电荷耦合器芯片、半导体制冷器、PGA陶瓷管壳、光窗片和热沉板组成；本发明专利技术的有益技术效果是：提供了一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，该封装结构尺寸较小，半导体制冷器直接与芯片进行热交换，工作效率较高，可以采用功耗较低、体积较小的半导体制冷器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子倍增电荷耦合器件，尤其涉及一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构。
技术介绍
电子倍增电荷耦合器件（EMCCD）实现高质量微光成像探测的前提条件为减小器件工作暗电流，减小电荷检测放大器噪声，提高倍增增益，一种有效的方法是对电子倍增电荷耦合器件进行冷却，降低其工作温度，因此，只有设计合理、科学的冷却封装结构才能满足电子倍增电荷耦合器件的工作要求，并且在保证其高可靠性的前提条件下，还应尽量缩减封装体积和器件重量。现有技术中，常用于提供低温工作环境的方式有自然冷却、强迫式空气冷却和半导体制冷器冷却；针对电子倍增电荷耦合器件的应用需求，从制冷效果、工装尺寸、可操作行和适用性的角度考虑，采用半导体制冷器冷却方式具有相当明显的优势，但在现有技术中，与电子倍增电荷耦合器件匹配的半导体制冷器通常设置在管壳外部，电子倍增电荷耦合器件和半导体制冷器之间需通过管壳进行热交换，这种制冷结构会降低半导体制冷器的工作效率，因此只能选用功耗和体积都较大的半导体制冷器，另外，由于半导体制冷器暴露在管壳外，为避免在低温环境中陶瓷管壳表面结霜以及为了对半导体制冷器起到保护作用，还需要在半导体制冷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，其特征在于：所述电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构由电子倍增电荷耦合器芯片（1）、半导体制冷器（2）、PGA陶瓷管壳（3）、光窗片（4）和热沉板（5）组成；所述热沉板（5）设置在PGA陶瓷管壳（3）的下端面上；PGA陶瓷管壳（3）的上端面上设置有安装槽；半导体制冷器（2）下端面通过环氧树脂填料与安装槽底部粘接，半导体制冷器（2）的位置与热沉板的位置相对；电荷耦合器芯片（1）设置于半导体制冷器（2）上端面的中部，电荷耦合器芯片（1）的下端面通过环氧树脂填料与半导体制冷器（2）上端面粘接；光窗片（4）将PGA陶瓷管壳（3）上端的开口部封闭，光窗片（4）下端面...

【技术特征摘要】
1.一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，其特征在于：所述电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构由电子倍增电荷耦合器芯片（1）、半导体制冷器（2）、PGA陶瓷管壳（3）、光窗片（4）和热沉板（5）组成；所述热沉板（5）设置在PGA陶瓷管壳（3）的下端面上；PGA陶瓷管壳（3）的上端面上设置有安装槽；半导体制冷器（2）下端面通过环氧树脂填料与安装槽底部粘接，半导体制冷器（2）的位置与热沉板的位置相对；电荷耦合器芯片（1）设置于半导体制冷器（2）上端面的中部，电荷耦合器芯片（1）的下端面通过环氧树脂填料与半导体制冷器（2）上端面粘接；光窗片（4）将PGA陶瓷管壳（3）上端的开口部封闭，光窗片（4）下端面和PGA陶瓷管壳（3）上端面的接触部通过密封胶粘接。2.根据权利要求1所述的电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，其特征在于：所述电子倍增电荷耦合器芯片（1）的阵列规模为512×512；电子倍增电荷耦合器芯片（1）的外形尺寸为19mm×12mm×0.5mm。3.根据权利要求2所述的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈于伟，谷顺虎，王艳，黄芳，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50