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本发明的实施例提供了制造SRAM器件的方法。在制造SRAM器件的方法中，在衬底上方形成绝缘层。在绝缘层上方形成第一伪图案。在第一伪图案的侧壁上形成作为第二伪图案的侧壁间隔件层。去除第一伪图案，从而在绝缘层上方留下第二伪图案。在去除第一伪图案...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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