SOD型半导体引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SOD型半导体引线框架，由上片和下片平贴扣合而成；所述上片和下片均由上边框和下边框以及与上边框和下边框垂直并整体连接的多个框架单元组成；所述上片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个方孔；所述下片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个凸刺；所述上片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔分别与下片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔一一对应；每一块带材可制作的上片的引脚共850个，下片的引脚共850个。本实用新型专利技术多排设计，芯片承放结构密度高，封装时效率高，同时上片和下片又能做薄型贴片。

【技术实现步骤摘要】
SOD型半导体引线框架
本技术涉及半导体芯片封装领域，具体是一种SOD型半导体引线框架。
技术介绍
目前SOD型半导体引线框架主要用于手工装配生产中，为了便于手工装配，产品封装引线框架为单排设计，生产效率低，且引线框架中的芯片承放结构密度小，框架利用率低，耗费材料。同时上片和下片很难做成薄型贴片。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的主要目的在于提供一种既克服引线框架单排设计，芯片承放结构密度小，封装时效率低，浪费人工的问题，同时又克服了上片和下片不能做薄型贴片的问题。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种SOD型半导体引线框架，由上片66和下片86平贴扣合而成；所述上片66和下片86均由上边框11和下边框12以及与上边框11和下边框12垂直并整体连接的多个框架单元58组成；所述上片66的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个方孔9；所述下片86的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个凸刺8；所述上片66的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2分别与下片86的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2一一对应；所述上片66的上边框11和下边框12的方孔9分别与下片86上边框11和下边框12的凸刺8一一紧密配合；所述框架单元58包括整体连接上边框11和下边框12的连筋10以及上下均匀排列的且仅在连筋10的一侧的多个与所述连筋10垂直的引脚5，引脚5上整体连接一个基岛6；所述相邻框架单元58的引脚5位于连筋10的不同侧，且连筋10相邻的框架单元58相互连接且紧邻，连筋10相邻的框架单元58组成复合框架单元88；所述上片66的复合框架单元88的左边基岛6与所述下片86的复合框架单元88的右边基岛6配合，所述上片的复合框架单元88的右边基岛6与所述下片86的复合框架单元88的左边基岛6配合；上片66相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离为13±0.02mm，下片86相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离也是13±0.02mm；所述上片66开设有34个框架单元58；所述下片86开设有34个框架单元58；所述框架单元58上均设有25个引脚5；所述上片66和下片86的上边框11和下边框12的侧边都均匀设有开口13。每一块带材可制作的上片66的引脚5共850个，下片86的引脚5共850个，上片66和下片86可封装850个芯片，这样节省了材料浪费。所述开口13的长和宽分别为：1mm和0.4mm。所述方孔9的长和宽分别为：2.5mm和1.2mm。所述引脚5和基岛6之间设有折边部3，所述的拆边部上设有两个防分层孔4。所述上片66和下片86的长度和宽度分别为221±0.05mm、76±0.05mm。所述上片66和下片86的多个椭圆形定位孔2的长和宽分别为3mm和1.5mm。所述框架单元58在同一水平上的两个相邻基岛6中心之间的距离为13±0.02mm。所述基岛6的长和宽分区为：1.3±0.05mm。所述上片66的基岛6的中心设有凸台15。本技术的积极进步效果在于：多排设计，芯片承放结构密度高，封装时效率高，同时上片和下片又能做薄型贴片。附图说明图1是本技术的上片66的结构示意图。图2是图1中A处的局部放大图。图3是上片66的复合框架单元88的结构示意图。图4是图3中C处的放大图。图5是图3中C处的侧视图。图6是本技术的下片86的结构图。具体实施方式下面结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。如图1-6所示，一种SOD型半导体引线框架，由上片66和下片86平贴扣合而成；所述上片66和下片86均由上边框11和下边框12以及与上边框11和下边框12垂直并整体连接的多个框架单元58组成；所述上片66的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个方孔9；所述下片86的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个凸刺8；所述上片66的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2分别与下片86的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2一一对应；所述上片66的上边框11和下边框12的方孔9分别与下片86上边框11和下边框12的凸刺8一一紧密配合；所述框架单元58包括整体连接上边框11和下边框12的连筋10以及上下均匀排列的且仅在连筋10的一侧的多个与所述连筋10垂直的引脚5，引脚5上整体连接一个基岛6；所述相邻框架单元58的引脚5位于连筋10的不同侧，且连筋10相邻的框架单元58相互连接且紧邻，连筋10相邻的框架单元58组成复合框架单元88；所述上片66的复合框架单元88的左边基岛6与所述下片86的复合框架单元88的右边基岛6配合，所述上片的复合框架单元88的右边基岛6与所述下片86的复合框架单元88的左边基岛6配合；上片66相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离为13±0.02mm，下片86相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离也是13±0.02mm；所述上片66开设有34个框架单元58；所述下片86开设有34个框架单元58；所述框架单元58上均设有25个引脚5；所述上片66和下片86的上边框11和下边框12的侧边都均匀设有开口13。每一块带材可制作的上片66的引脚5共850个，下片86的引脚5共850个，上片66和下片86可封装850个芯片，这样节省了材料浪费。所述开口13的长和宽分别为：1mm和0.4mm。所述方孔9的长和宽分别为：2.5mm和1.2mm。所述引脚5和基岛6之间设有折边部3，所述的拆边部上设有两个防分层孔4。所述上片66和下片86的长度和宽度分别为221±0.05mm、76±0.05mm。所述上片66和下片86的多个椭圆形定位孔2的长和宽分别为3mm和1.5mm。所述框架单元58在同一水平上的两个相邻基岛6中心之间的距离为13±0.02mm。所述基岛6的长和宽分区为：1.3±0.05mm。所述上片66的基岛6的中心设有凸台15。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内，本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SOD型半导体引线框架，由上片和下片平贴扣合而成；所述上片和下片均由上边框和下边框以及与上边框和下边框垂直并整体连接的多个框架单元组成；所述上片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个方孔；所述下片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个凸刺；所述上片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔分别与下片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔一一对应；所述上片的上边框和下边框的方孔分别与下片上边框和下边框的凸刺一一紧密配合；所述框架单元包括整体连接上边框和下边框的连筋以及上下均匀排列的且仅在连筋的一侧的多个与所述连筋垂直的引脚，引脚上整体连接一个基岛；所述相邻框架单元的引脚位于连筋的不同侧，且连筋相邻的框架单元相互连接且紧邻，连筋相邻的框架单元组成复合框架单元；所述上片的复合框架单元的左边基岛与所述下片的复合框架单元的右边基岛配合，所述上片的复合框架单元的右边基岛与所述下片的复合框架单元的左边基岛配合；上片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离为13±0.02mm，下片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离也是13±0.02mm；所述上片开设有34个框架单元；所述下片开设有34个框架单元；所述框架单元上均设有25个引脚；所述上片和下片的上边框和下边框的侧边都均匀设有开口；所述开口的长和宽分别为：1mm和0.4mm。...

【技术特征摘要】
1.一种SOD型半导体引线框架，由上片和下片平贴扣合而成；所述上片和下片均由上边框和下边框以及与上边框和下边框垂直并整体连接的多个框架单元组成；所述上片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个方孔；所述下片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个凸刺；所述上片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔分别与下片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔一一对应；所述上片的上边框和下边框的方孔分别与下片上边框和下边框的凸刺一一紧密配合；所述框架单元包括整体连接上边框和下边框的连筋以及上下均匀排列的且仅在连筋的一侧的多个与所述连筋垂直的引脚，引脚上整体连接一个基岛；所述相邻框架单元的引脚位于连筋的不同侧，且连筋相邻的框架单元相互连接且紧邻，连筋相邻的框架单元组成复合框架单元；所述上片的复合框架单元的左边基岛与所述下片的复合框架单元的右边基岛配合，所述上片的复合框架单元的右边基岛与所述下片的复合框架单元的左边基岛配合；上片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离为13±0.02mm，下片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离也是13±0.02mm；所述上片开设有3...

【专利技术属性】
技术研发人员：于孝传，钱龙，李慕俊，管黎，
申请(专利权)人：上海隽宇电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31