一种LED器件及LED灯制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED器件，包括LED芯片、支架、导电焊线以及封装胶体，所述支架包括第一电连接区、绝缘区以及第二电连接区，所述导电焊线的两端分别位于LED芯片电极和第二电连接区，所述导电焊线包括第一弯折段和第二弯折段，所述第一弯折段的一端与LED芯片电极电连接，另一端向绝缘区方向设置并与第二弯折段连接，所述第二弯折段向第二电连接区方向设置并与第二电连接区电连接。本实用新型专利技术还公开了一种LED灯。相对于现有技术的二维导电焊线，本实用新型专利技术LED器件的三维结构导电焊线可以消除来自各个方向的应力冲击，有效避免导电焊线被拉断，从而提高导电焊线的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种LED器件及LED灯
本技术涉及LED器件
，尤其涉及一种LED器件及应用该LED器件的LED灯。
技术介绍
参见附图1所示，现有技术中的LED器件包括支架1a，支架1a上依次设有第一电连接区11a、绝缘区12a和第二电连接区13a，其中LED芯片设于第一电连接区11a，LED芯片上设定有LED芯片电极，第二电连接区13a设有与LED芯片电极对应的支架电极，其中LED芯片电极和支架电极需要通过导电焊线连接，从而实现LED芯片的导通，导电焊线的两端与对应的电极焊接后需要在支架1a上面覆盖封装胶体，封装胶体将LED芯片和导电焊线覆盖于其内。但是在使用LED器件时，封装胶体会由于冷热冲击产生热胀冷缩现象，在此过程中，绝缘区12a两侧的第一电连接区11a和第二电连接区13a之间的距离会被拉大，导电焊线也会随着封装胶体被拉伸，容易导致导电焊线被拉断或者导电焊线两端的焊点脱落，造成LED器件失效的现象。为了解决上述技术问题，现有技术中公开了公告号为CN204204914U的中国技术专利，其公开了“LED封装结构”，通过在金线（即上述的导电焊线）的一端设置直线段，其中直线段贴于基板或所述支架上，所述直线段对金线受到的应力有一定的缓冲，以使直线段与相应电极的焊接更为牢固。但是上述公开专利中的金线（导电焊线）为一个二维结构，其直线段只是对金线（导电焊线）长度方向有一定的应力缓冲作用，而由于金线（导电焊线）是整体被封装胶体包裹，封装胶体的热胀冷缩会对整个导电焊线产生应力冲击，并且应力冲击无固定方向，即金线（导电焊线）会受到来自上、下、左、右或其他不规则方向的应力冲击，若这些应力得不到缓冲，或者只是得到部分的缓冲，而其它得不到应力缓冲的部分导电焊线会提前损坏，从而大大降低导电焊线的整体使用寿命，必然会降低LED器件的整体使用寿命。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种LED器件，通过将导电焊线设置成三维结构以提高导电焊线承受来自各个方向应力的能力。本技术所要解决的技术问题还在于，提供一种LED器件，提高导电焊线的使用寿命。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种LED器件，包括LED芯片、用于承载LED芯片的支架、连接LED芯片电极与支架的导电焊线以及覆盖所述LED芯片和导电焊线的封装胶体，所述支架包括绝缘区以及分别位于所述绝缘区两侧的第一电连接区和第二电连接区，所述LED芯片安装在所述第一电连接区，所述导电焊线的一端位于所述LED芯片电极，另一端位于所述第二电连接区，所述导电焊线包括第一弯折段和第二弯折段，所述第一弯折段的一端与LED芯片电极电连接，另一端向绝缘区方向设置并与第二弯折段连接，所述第二弯折段向第二电连接区方向设置并与第二电连接区电连接，所述第一弯折段和第二弯折段在LED芯片电极和第二电连接区形成三维结构。作为上述方案的改进，还包括竖直段，所述竖直段的一端与LED芯片电极连接，另端与第一弯折段连接。作为上述方案的改进，所述竖直段的高度为H1，所述H1为30μm-70μm。作为上述方案的改进，还包括与第二弯折段连接的连接段，所述连接段包括远离所述第二弯折段的至少部分贴设于第二电连接区的直线段，所述直线段与所述第二电连接区连接。作为上述方案的改进，所述连接段的长度为L2，所述L2为70μm-150μm。作为上述方案的改进，所述第一弯折段向LED芯片远离LED芯片电极的一端倾斜。作为上述方案的改进，所述第一弯折段与第二弯折段连接的部分位于所述LED芯片的上方；或者，所述第一弯折段与第二弯折段连接的部分位于绝缘区和LED芯片之间的空间。作为上述方案的改进，所述导电焊线最高点与LED芯片上表面之间的距离为H2，所述H2为70μm-130μm。作为上述方案的改进，所述第一弯折段在水平面上的投影的长度为L1，所述L1为100μm-350μm。作为上述方案的改进，所述第一弯折段起始点处的切线与竖直线所成的锐角为A1，所述A1为10°-70°。作为上述方案的改进，所述第一弯折段和第二弯折段在水平面上的投影的夹角为A2，所述A2为100°-160°。作为上述方案的改进，所述竖直段和所述LED芯片电极连接的端点与连接段和所述第二电连接区的端点在同一水平线上。相应的，本技术还公开了一种LED灯，包括本技术所述的LED器件。实施本技术的实施例，具有如下有益效果：本技术所述导电焊线的第二弯折段与第一弯折段在LED芯片电极和第二电连接区之间形成三维结构，此时，即使导电焊线受到来自多个不规则方向的应力冲击，也会有对应的应力缓冲能力，相对于现有技术的二维导电焊线，本技术的导电焊线可以消除来自各个方向的应力冲击，有效避免导电焊线被拉断，从而提高导电焊线的使用寿命，对提高LED器件的整体使用寿命起到重要的作用。附图说明图1是现有技术LED器件部分结构的剖视图；图2是本技术导电焊线的俯视图；图3是图2中A处的局部放大图；图4是图2沿DD方向的剖视图；图5是图4中B处的局部放大图；图6是图5中F处的局部放大图；图7是图2沿EE方向的剖视图；图8是图6中C处的局部放大图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。仅此声明，本技术在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本技术的附图为基准，其并不是对本技术的具体限定。实施例一参见附图2至附图8，本专利技术公开了一种用于LED器件，包括LED芯片3、用于承载LED芯片3的支架1、连接LED芯片电极30与支架1的导电焊线2以及覆盖所述LED芯片3和导电焊线2的封装胶体，所述封装胶体优选为硅树脂、硅胶或环氧树脂，所述支架1包括绝缘区12以及分别位于所述绝缘区12两侧的第一电连接区11和第二电连接区13，所述LED芯片3安装在所述第一电连接区11，所述导电焊线2的一端位于所述LED芯片电极30，另一端位于所述第二电连接区13。其中，所述LED芯片3为蓝光芯片、红光芯片或绿光芯片，可以根据需求选择，当第一电连接区11设有多个LED芯片3时，多个LED芯片3也可以根据需求选择不同光的LED芯片。作为LED芯片3和封装胶体的优选方案，所述LED芯片为蓝光芯片，所述封装胶体为荧光粉与有机硅混合物。为了实现本技术的目的，本技术所述导电焊线2包括第一弯折段22和第二弯折段23。具体的，所述第一弯折段22的一端与LED芯片电极30电连接，具体可以通过下述中的竖直段21与LED芯片电极30间接电连接，也可以与LED芯片电极30直接电连接，第一弯折段22的另一端向绝缘区12方向设置并与第二弯折段连接，具体的可以为向绝缘区方向斜向上设置，即在附图中，第一弯折段22由LED芯片电极30向第二弯折段23的方向是向左并向斜上方向设置，其即第一弯折段22在附图4中显示的是向上或者向下，不是水平的直线。优选的，所述第一弯折段22向LED芯片3远离LED芯片电极30的一端倾斜，即第一弯折段22在附图4中向左上倾斜。所述导电焊线2受到的外界的应力主要是来自封装胶体的热胀冷缩，若导电焊线2所处位置的封装胶体较厚，其受到的应力会相对较大，由于LED芯片3需要占一定的空间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED器件，包括LED芯片、用于承载LED芯片的支架、连接LED芯片电极与支架的导电焊线以及覆盖所述LED芯片和导电焊线的封装胶体，所述支架包括绝缘区以及分别位于所述绝缘区两侧的第一电连接区和第二电连接区，所述LED芯片安装在所述第一电连接区，所述导电焊线的一端位于所述LED芯片电极，另一端位于所述第二电连接区，其特征在于，所述导电焊线包括第一弯折段和第二弯折段，所述第一弯折段的一端与LED芯片电极电连接，另一端向绝缘区方向设置并与第二弯折段连接，所述第二弯折段向第二电连接区方向设置并与第二电连接区电连接，所述第一弯折段和第二弯折段在LED芯片电极和第二电连接区形成三维结构。

【技术特征摘要】
1.一种LED器件，包括LED芯片、用于承载LED芯片的支架、连接LED芯片电极与支架的导电焊线以及覆盖所述LED芯片和导电焊线的封装胶体，所述支架包括绝缘区以及分别位于所述绝缘区两侧的第一电连接区和第二电连接区，所述LED芯片安装在所述第一电连接区，所述导电焊线的一端位于所述LED芯片电极，另一端位于所述第二电连接区，其特征在于，所述导电焊线包括第一弯折段和第二弯折段，所述第一弯折段的一端与LED芯片电极电连接，另一端向绝缘区方向设置并与第二弯折段连接，所述第二弯折段向第二电连接区方向设置并与第二电连接区电连接，所述第一弯折段和第二弯折段在LED芯片电极和第二电连接区形成三维结构。2.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，还包括竖直段，所述竖直段的一端与LED芯片电极连接，另一端与第一弯折段连接。3.根据权利要求2所述的LED器件，其特征在于，所述竖直段的高度为H1，所述H1为30μm-70μm。4.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，还包括与第二弯折段连接的连接段，所述连接段包括远离所述第二弯折段的至少部分贴设于第二电连接区的直线段，所述直线段与所述第二电连接区连接。5.根据权利要求4所述的LED器件，其特征在于，所述连接段的长度为L2，所述L2为70μm-...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鹏，李自成，霍达勋，谢志国，潘利兵，杨璐，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44