一种低温多晶硅背板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

一种低温多晶硅背板及其制造方法、显示装置。该低温多晶硅背板包括：设置在衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管，以及，位于所述衬底基板和所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层，所述遮光层包括非晶硅遮光层。本发明专利技术实施例提供的方案，采用非晶硅作为遮光层，遮光效果好，寄生电容小，功耗低。

Low temperature polysilicon backplane and manufacturing method and display device thereof

Low temperature polysilicon backplane and manufacturing method and display device thereof. Including the low-temperature polycrystalline silicon backplane: set low temperature poly silicon thin film transistor on a substrate and, in the light shielding layer between the substrate and the thin film transistor, the light shielding layer includes an amorphous silicon layer shading. The embodiment provided by the embodiment of the invention adopts the amorphous silicon as the shading layer, has good light shielding effect, small parasitic capacitance and low power consumption.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示技术，尤指一种低温多晶硅背板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，简称LTPS)技术由于具有超薄、重量轻和低耗电等优点而得到越来越广泛的应用。目前LTPS器件的遮光层一般采用钼(Mo)金属。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术至少一实施例提供了一种低温多晶硅背板及其制造方法、显示装置，提高低温多晶硅背板性能。为了达到本专利技术目的，本专利技术至少一实施例提供了一种低温多晶硅背板，包括：设置在衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管，以及，位于所述衬底基板和所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层，所述遮光层包括非晶硅遮光层。在本专利技术一可选实施例中，所述遮光层还包括：位于所述衬底基板与所述非晶硅遮光层之间的蓝光透光层，所述蓝光透光层用于，将入射至所述蓝光透光层的光转变为蓝光后输出至所述非晶硅遮光层。在本专利技术一可选实施例中，所述蓝光透光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影。在本专利技术一可选实施例中，所述蓝光透光层由蓝光量子点材料制成，或者，采用蓝色滤光片制成。在本专利技术一可选实施例中，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：有源层、源/漏极、栅极、以及位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层；所述非晶硅遮光层与所述有源层在所述衬底基板上的正投影一致。本专利技术一实施例提供一种显示装置，包括上述低温多晶硅背板。本专利技术一实施例提供一种低温多晶硅背板制造方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成遮光层，所述遮光层包括非晶硅遮光层；在所述非晶硅遮光层上形成低温多晶硅薄膜晶体管。在本专利技术一可选实施例中，在所述衬底基板上形成遮光层包括：在所述衬底基板上形成蓝光透光层；所述蓝光透光层用于，将入射至所述蓝光透光层的光转变为蓝光后输出至所述非晶硅遮光层；在所述蓝光透光层上形成所述非晶硅遮光层，且所述蓝光透光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影。在本专利技术一可选实施例中，所述蓝光透光层由蓝光量子点材料制成，或者，采用蓝色滤光片制成。在本专利技术一可选实施例中，所述在所述非晶硅遮光层上形成低温多晶硅薄膜晶体管包括：在所述非晶硅遮光层上形成有源层、源/漏极、栅极绝缘层、栅极；其中，所述有源层与所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影一致。与现有技术相比，本申请提供一种低温多晶硅背板，包括在衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管，位于所述衬底基板和所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层，所述遮光层包括非晶硅遮光层。本申请中，通过使用非晶硅材料制成的遮光层，遮光效果好，寄生电容小，功耗低。另外，通过在遮光层与衬底基板之间增加蓝光滤光层，进一步提升了非晶硅遮光层的遮光效果。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例一提供的低温多晶硅背板结构示意图；图2(a)～图2(e)为本专利技术实施例二提供的低温多晶硅背板制造方法示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。本文中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。需要说明的是，附图中各层薄膜厚度和区域形状大小不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。另外，本专利技术实施例附图中只示意出与本专利技术实施例相关的结构，其他结构可参考通常设计。本专利技术实施例中，使用非晶硅(a-Si)制作低温多晶硅背板的遮光层。下面通过具体实施例进行说明。实施例一本实施例提供一种低温多晶硅背板，如图1所示，包括：衬底基板1、蓝光透光层2、绝缘层8-1、非晶硅遮光层3、绝缘层8-2、以及，由有源层4、栅极5、源/漏极6、位于所述有源层4和所述栅极5之间的栅极绝缘层7、位于栅极5之上的绝缘层8-3构成的低温多晶硅薄膜晶体管。有源层4包括有源区4-1和分别与源/漏极6连接的源漏极区域4-2。所述蓝光透光层2用于，将入射至所述蓝光透光层2的光转变为蓝光后输出至所述非晶硅遮光层3。其中，此处蓝光可以为波长为450～435nm的可见光。在本专利技术一可选实施例中，所述蓝光透光层2采用蓝光量子点(QD)材料制成，或者，采用蓝色滤光片制成。滤光片是用来选取所需辐射波段的光学器件，蓝色滤光片只能让蓝光波段的光线通过，光线照射蓝色滤光片后，输出的为蓝光。蓝色滤光片可由塑料或玻璃制成，或者为其他材料。本实施例中，采用a-Si作为遮光层，遮光效果好，寄生电容小，功耗低。另外，由于a-Si对可见光反射率很低，外界光及背光反射光通过非晶硅遮光层反射进入沟道很少，与使用Mo作为遮光层相比有很大优势。另外，本实施例中，由于a-Si对于短波长可见光(蓝光波段)基本可以完全吸收，对于长波长可见光(红光、绿光)吸收率较低，因此，增加了蓝光透光层2，吸收背光源的光转变为蓝光再入射到非晶硅遮光层3，同时由于a-Si对蓝光吸收率接近100％，从而不会有光照射到有源层，降低了对有源层的影响，提高了低温多晶硅背板的性能及其稳定性。在本专利技术的一可选实施例中，所述蓝光透光层2在所述衬底基板1上的正投影覆盖所述非晶硅遮光层3在所述衬底基板1上的正投影。可选的，所述蓝光透光层2在所述衬底基板1上的正投影与所述非晶硅遮光层3在所述衬底基板1上的正投影一致。在本专利技术的一可选实施例中，所述非晶硅遮光层3与所述有源层4在所述衬底基板1上的正投影一致。此时，非晶硅遮光层3和有源层4可采用同一个掩膜板(Mask)，从而可提升产能，需要说明的是，在本专利技术其他实施例中，也可以不设置蓝光透光层2和绝缘层8-1，直接在衬底基板上设置非晶硅遮光层3，以及非晶硅遮光层3之上的其他层。实施例二本实施例提供一种低温多晶硅背板制造方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成遮光层，所述遮光层包括非晶硅遮光层；在所述非晶硅遮光层上形成低温多晶硅薄膜晶体管。在本专利技术的一可选实施例中，在所述衬底基板上形成遮光层包括：在所述衬底基板上形成蓝光透光层；所述蓝光透光层用于，将入射至所述蓝光透光层的光转变为蓝光后输出至所述非晶硅遮光层；在所述蓝光透光层上形成所述非晶硅遮光层，且所述蓝光透光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影。需要说明的是，所述蓝光透光层与所述非晶硅遮光层之间还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅背板，包括：设置在衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管，以及，位于所述衬底基板和所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层，其特征在于，所述遮光层包括非晶硅遮光层。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅背板，包括：设置在衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管，以及，位于所述衬底基板和所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层，其特征在于，所述遮光层包括非晶硅遮光层。2.如权利要求1所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述遮光层还包括：位于所述衬底基板与所述非晶硅遮光层之间的蓝光透光层，所述蓝光透光层用于，将入射至所述蓝光透光层的光转变为蓝光后输出至所述非晶硅遮光层。3.如权利要求2所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述蓝光透光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影。4.如权利要求2所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述蓝光透光层由蓝光量子点材料制成，或者，采用蓝色滤光片制成。5.如权利要求1至4任一所述的低温多晶硅背板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：有源层、源/漏极、栅极、以及位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层；所述非晶硅遮光层与所述有源层在所述衬底基板上的正投影一致。6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁丽君，姚星，王志冲，韩明夫，郑皓亮，商广良，韩承佑，金志河，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11