一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，包括：位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AM-OLED)具有自发光、亮度高、视角宽、对比度高、功耗低等一系列的优点，而受到人们广泛的关注。如图1所示，现有的AM-OLED阵列基板一般采用3T1C的驱动方式，即每个子像素有3个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)和1个存储电容Cst进行驱动。开关管T1将Data信号储存在存储电容Cst中，补偿管T2给驱动管T3提供补偿电流，驱动管T3给OLED提供电流，驱动AM-OLED发出相应的光。通常情况下，存储电容Cst足够大，才能保证开关管T1关闭时，驱动管T3管保持导通状态，维持AM-OLED的电流，驱动AM-OLED发出相应的光。现有技术中，如图2所示，存储电容Cst由第一电极1和第二电极2组成，其中第二电极2设置在钝化层3上，为了增大存储电容Cst的电容值，以满足驱动电路的需求，一般存储电容Cst的第一电极1和第二电极2的面积会做的比较大。但是，存储电容Cst的第二电极2的面积做的比较大会严重降低显示器件的开口率，影响到显示面板的显示质量。因此，如何在保证存储电容电容值基础上提高阵列基板的开口率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，用于实现在增大存储电容的电容值的基础上增大阵列基板的开口率，从而提高显示质量的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽；所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中，且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述像素电路中还包括第二电容；其中所述第一电容的第一电极复用为所述第二电容的第一电极，所述第二电容的第二电极位于所述第二电容的所述第一电极的下方。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管中具有相同功能的膜层同层设置。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，在所述驱动晶体管中，栅电极位于有源层的下方，源极和漏极位于有源层的上方。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于源极和漏极与所述有源层之间的刻蚀阻挡层，所述源极通过贯穿所述的刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置，或所述第二电容的第二电极与所述有源层同层设置。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述显示面板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在所述衬底基板上形成所述驱动晶体管和所述开关晶体管，且形成所述第一电容的第一电极的图形，其中所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；形成覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层的图形，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽和贯穿所述钝化层的过孔；在所述凹槽中形成所述第一电容的第二电极的图形，且所述第一电容的所述第二电极通过所述过孔与所述驱动晶体管的源极相连。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板的制备方法中，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成所述钝化层的图形。本专利技术实施例提供的上述一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，包括：衬底基板、位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，且钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置有凹槽；第一电容的第二电极位于凹槽中，且第一电容的第二电极通过贯穿钝化层的过孔与驱动晶体管的源极相连，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。附图说明图1为现有技术中的驱动电路图；图2为现有技术中的驱动电路对应的阵列基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；图5a至图5h为本专利技术实施例提供的阵列基板在执行各步骤后的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。下面结合附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置的具体实施方式进行详细地说明。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，如图3所示，包括：衬底基板4、位于衬底基板4上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管7、开关晶体管8和第一电容Cst1；其中，第一电容Cst1的第一电极1分别连接驱动晶体管7的栅电极9和开关晶体管8的源极12；阵列基板还包括覆盖第一电容Cst1的第一电极1的钝化层3，且钝化层3在与第一电容Cst1的第一电极1对应的区域设置有凹槽13；第一电容Cst1的第二电极2位于凹槽13中，且第一电容Cst1的第二电极2通过贯穿钝化层的过孔14与驱动晶体管7的源极12相连。本专利技术实施例提供的上述一种阵列基板，包括：衬底基板、位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，且钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置有凹槽；第一电容的第二电极位于凹槽中，且第一电容的第二电极通过贯穿钝化层的过孔与驱动晶体管的源极相连，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。在具体实施中，这开关晶体管的源极和漏极根据晶体管类型以及输入信号的不同，其功能可以互换，在此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；其特征在于：所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽；所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中，且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；其特征在于：所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽；所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中，且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路中还包括第二电容；其中所述第一电容的第一电极复用为所述第二电容的第一电极，所述第二电容的第二电极位于所述第二电容的所述第一电极的下方。3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动晶体管和所述开关晶体管中具有相同功能的膜层同层设置。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述驱动晶体管中，栅电极位于有源层的下方，源极和漏极位于有源层的上方。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置。6.如权利要求4所述的阵列基板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏同上，王东方，刘军，成军，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11