【技术实现步骤摘要】
用于早期检测TS至PC短路问题的方法
本专利技术涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor；MOSFET)装置的制造，尤其适用于检测14纳米(nm)技术节点及以下的源极/漏极(TS)至栅极(PC)(TS-PC)短路。
技术介绍
就MOSFET装置制造而言，TS-PC短路缺陷是先进制程技术开发的一些最常见且不利的失效机制。在线检测TS-PC短路缺陷对于因新的材料/流程实施而可能发生于原子级上的新短路机制尤具挑战性。一般来说，由于分辨率及对比度限制，严重的TS-PC短路缺陷无法通过光学检测方法检测。电子束检测(electronbeaminspection；EBI)一直是在装置制程的栅极接触(CB)化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing；CMP)(CB-CMP)阶段检测TS-PC电性缺陷的最常用的在线检测方法。目前，CB-CMP是TS-PC短路缺陷的唯一检测点。不过，周期时间太长，因此缺陷可能在TS-CMP阶段已经存在。目前，由于基本的挑战，不可能在TS-...
【技术保护点】
一种方法，包括：提供半导体衬底，该衬底具有多个部分形成的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置；对该衬底执行第一缺陷检测，该第一检测包括先进充电控制(ACC)；基于该第一检测识别该衬底上的一个或多个亮电压对比(BVC)候选；对该一个或多个BVC候选执行第二缺陷检测，该第二检测在没有ACC的情况下执行；以及基于在该第一及第二检测期间出现的该一个或多个BVC候选检测该衬底上的一个或多个BVC缺陷。
【技术特征摘要】
2016.01.06 US 14/989,1091.一种方法，包括：提供半导体衬底，该衬底具有多个部分形成的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置；对该衬底执行第一缺陷检测，该第一检测包括先进充电控制(ACC)；基于该第一检测识别该衬底上的一个或多个亮电压对比(BVC)候选；对该一个或多个BVC候选执行第二缺陷检测，该第二检测在没有ACC的情况下执行；以及基于在该第一及第二检测期间出现的该一个或多个BVC候选检测该衬底上的一个或多个BVC缺陷。2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一及第二缺陷检测包括电子束检测(EBI)。3.如权利要求1所述的方法，其中，各该一个或多个BVC缺陷包括源极/漏极至栅极短路。4.一种方法，包括：形成静态随机访问存储器(SRAM)装置，其具有至少一个n节点、至少一个p节点、以及至少一个共用接触，该至少一个共用接触将该至少一个n节点与该至少一个p节点连接；确定该n节点的阈值电压(Vt)的上限；向该n节点的至少一个源极/漏极(S/D)施加小于或等于该上限的电压；以及基于所施加的该电压，确定在该n节点上是否存在S/D(TS)至栅极(PC)(TS-PC)短路。5.如权利要求4所述的方法，其中，该至少一个p节点包括针对该n节点的虚拟接地。6.如权利要求4所述的方法，其中，该Vt包括小于该至少一个S/D电压(Vd)的一半。7.如权利要求4所述的方法，其中，包括根据由基于电子检测(EBI)所引起的沟道辅助导电(CAC)来确定是否存在该TS-PC短路。8.一种方法，包括：提供测试装置以进行叠置(OVL)偏移监控及测量，该测试装置具有n节点、p节点，以及多个接地(GND)、位线(BL)、共用接触(SC)、电压供应(Vdd)、主动沟道区(Rx)及栅极结构；改变该n节点的一个或多个行上的一个或多个BL和/或GND结构的宽度、高度和/或位置；对该n节点的该一个或多个行执行电子束检测(EBI)；基于该EBI所导致的亮电压对比(BVC)，确定该n节点的源极/漏极(TS)与栅极(PC)之间的OVL偏移的阶次；以及基于该BVC结果，确定沿X方向或Y方向的该OVL偏移的测量。9.如权利要求8所述的方法，包括通过以下方式确定沿X方向的该OVL偏移的该阶次：改变该n节点的该一个或多个行上的序列BL及GND结构的宽度。10.如权利要求9所述的...
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