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本发明涉及用于早期检测TS至PC短路问题的方法，其提供用以支持在TS‑CMP制程阶段在线检测TS‑PC短路缺陷的方法。实施例包括提供半导体衬底，该衬底具有多个部分形成的MOSFET装置；对该衬底执行第一缺陷检测，该第一检测包括ACC；基于该...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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