用于监视处理室的设备制造技术

本发明专利技术可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

【技术实现步骤摘要】
用于监视处理室的设备相关申请的交叉引用本申请要求于2016年1月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0009899的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思涉及用于监视处理室的设备。
技术介绍
在用于制造半导体组件或者LCD组件的等离子体蚀刻设备中，执行利用RF功率的等离子体蚀刻工艺。具体地说，在晶圆制造工艺中，使用氧化硅膜来形成层间绝缘膜，使用掺有杂质的多晶硅来形成电容器，并且使用利用等离子体的干法蚀刻工艺来执行氧化硅膜或多晶硅层的图案化。作为干法蚀刻工艺，有一种使用高密度等离子体(HDP)源系统的变压器耦合等离子体(TCP)蚀刻方法。在利用TCP蚀刻方法的TCP蚀刻设备中，在室内部的底部上安装晶圆，在室的一侧上安装用于将处理气体注射至室中的处理气体注射管，并且当将处理气体注射至室中并同时产生RF功率时，在室的内部产生等离子体以蚀刻晶圆的顶表面。
技术实现思路
本专利技术构思的一方面提供了一种用于监视处理室的设备，以按照非穿透监视方式检查处理存在还是不存在异常，同时不影响处理的执行。本专利技术构思的另一方面提供了一种用于监视处理室的设备，其能够监视处理室的中心部分和处理室的外部分二者。本专利技术构思的又一方面提供了一种用于监视处理室的设备，以监视在处理室的晶圆表面水平的处理物质的分布程度。然而，本专利技术构思的各方面不限于本文阐述的这些。通过参照下面提供的本专利技术构思的具体说明，本专利技术构思的以上和未提及的其它方面对于本专利技术构思所属领域的普通技术人员之一将变得更加清楚。根据本专利技术构思的示例实施例，一种用于监视处理室的内部的设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。根据本专利技术构思的示例实施例，一种用于监视处理室的内部的设备包括：处理室，其包括室主体，所述室主体包括限定在其中的第一观察口和第二观察口；第一盖部分，其包括第一针孔，第一盖部分布置为对应于第一观察口的端部；第一感测单元，其插入第一观察口中，以通过第一针孔监视处理室的内部中的第一感测区；第二盖部分，其包括第二针孔，第二盖部分布置为对应于第二观察口的端部；以及第二感测单元，其插入第二观察口中，以通过第二针孔监视处理室的内部中的第二感测区，第二感测区与第一感测区不同。根据本专利技术构思的示例实施例，一种用于监视处理室的内部的设备包括：处理室，其包括限定在其中的容纳空间；一个或多个图像拾取单元，它们各自构造为监视容纳空间中的处理物质的分布状态，所述一个或多个图像拾取单元各自构造为通过调整其焦距改变处理室中的监视区；以及一个或多个处理器，它们构造为通过利用来自所述一个或多个图像拾取单元的监视结果执行一个或多个算术操作来获得容纳空间的底表面上的处理物质的密度分布。根据本专利技术构思的示例实施例，一种用于监视处理室的内部的设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的至少一个观察口；至少一个盖结构，其结合至观察口中，所述盖结构在其一端包括针孔，所述盖结构构造为相对于室主体的内壁向前或向后运动，盖结构在朝着处理室的中心的方向上具有一定长度；以及至少一个传感器，其容纳在盖结构中，以通过针孔监视处理室的内部，根据传感器的焦距来确定将由传感器感测的处理室中的区，基于针孔与传感器之间的距离来确定传感器的焦距。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术构思的示例实施例，本专利技术构思的以上和其它方面和特征将变得更加清楚，其中：图1是根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备的分解透视图；图2和图3是根据本专利技术构思的一些示例实施例的用于监视处理室的设备的部分剖视图；图4是示出根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的一部分设备的分解透视图；图5是示出图4的盖部分的前部的透视图；图6是用于解释在根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备中执行处理物质的分布的算术操作的方法的示图；图7是根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备的透视图；图8是根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备的分解透视图；图9是根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备的透视图；图10是根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备的透视图；图11是根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备的部分剖视图；图12是包括利用根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备制造的半导体装置的电子系统的框图；以及图13和图14是可应用利用根据本专利技术构思的一些示例实施例的用于监视处理室的设备制造的半导体装置的示例性半导体系统。具体实施方式下面描述的处理室可为执行等离子体工艺的处理室(processchamber)。然而，本专利技术构思不限于此。将利用执行等离子体工艺时使用的处理室作为示例来描述本专利技术构思。等离子体工艺可为在例如半导体装置、显示装置和印刷电路板(PCB)的制造工艺中使用等离子体物质的工艺。等离子体工艺可指例如干法蚀刻工艺、溅射工艺、干法清洗工艺(drycleanprocess)、干法灰化工艺或者等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)工艺。当执行如上所述的等离子体工艺时可利用根据本专利技术构思的处理室。处理室可根据需要具有各种形状和/或可包括各种材料，而不限于下面描述的形状和材料。参照附图描述的根据本专利技术构思的处理室和用于监视处理室的设备仅是一些示例。首先，将参照图1至图6描述根据本专利技术构思的示例实施例的处理室和用于监视处理室的设备。图1是根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备的分解透视图。图2和图3是根据本专利技术构思的一些示例实施例的用于监视处理室的设备的部分剖视图。图4是示出根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的一部分设备的分解透视图。图5是示出图4的盖部分的前部的透视图。图6是用于解释在根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备中执行处理物质的分布的算术操作的方法的示图。参照图1，根据本专利技术构思的示例实施例的用于监视处理室的设备1包括室主体100、观察口110、衬底支承件120、主体200和衬垫300等。室主体100可形成为包括能够在其中容纳处理物质的容纳空间。例如，可在室主体100中形成圆柱形容纳空间，但是本专利技术构思不限于此。在一些示例实施例中，在室主体100内形成的容纳空间可具有多边形柱形形状。衬底支承件120可形成在室主体100的底表面上，并且可在衬底支承件120上布置可用在半导体装置、显示装置、PCB等的制造工艺中的衬底。例如，可在衬底支承件120上布置晶圆。因为可在室主体100内容纳处理物质(例如，等离子体物质)并且可执行所述处理，所以室主体100可由不与处理物质(例如，等离子体物质)反应的材料形成。例如，室主体100可由金属形成。例如，室主体100可由铜(Cu)或铝(Al)形成，但是本专利技术构思不限于此。例如，室主体100可为执行蚀刻工艺的位置，并且用于提供密封的容纳空间，以执行平滑蚀刻工艺。根据处理的工序，用于蚀刻工艺的处理气体可从外部流入室主体100中，或者可排放至外部。观察本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

【技术特征摘要】
2016.01.27 KR 10-2016-00098991.一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。2.根据权利要求1所述的设备，其中，感测单元的感测角度为arctan(a/b)/π×180×2°，其中a表示布置在处理室中的晶圆的半径，并且b表示从处理室的中心至针孔的距离。3.根据权利要求2所述的设备，其中，针孔与感测单元的面对针孔的端部之间的距离D为(b×L)/(a×2)，其中L表示感测单元的宽度。4.根据权利要求1所述的设备，还包括：衬底支承件，其位于处理室中，并且构造为支承衬底，其中，感测单元构造为监视在衬底的表面水平的处理状态。5.根据权利要求4所述的设备，还包括：算术操作单元，其构造为对感测单元所监视的处理室的处理状态执行变换操作，以获得在衬底的表面水平的处理状态。6.根据权利要求5所述的设备，其中，算术操作单元构造为利用Abel变换执行变换操作。7.根据权利要求1所述的设备，还包括：主体，其插入观察口中，并且面对盖部分中的针孔，其中，主体构造为容纳感测单元。8.根据权利要求7所述的设备，其中，观察口的端部具有圆柱形形状。9.根据权利要求8所述的设备，其中，主体包括，结合部分，其被插入观察口中，固定部分，其以可去除的方式支承感测单元，以及插入部分，其结合至盖部分。10.根据权利要求1所述的设备，其中，当盖部分的长度为第一长度时，感测单元构造为监视第一区，并且当盖部分的长度为与第一长度不同的第二长度时，感测单元构造为监视与第一区不同的第二区。11.根据权利要求1所述的设备，还包括：位于室主体内的衬垫。12.根据权利要求11所述的设备，其中，盖部分突出至衬垫的内壁以外。13.一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体，所述室主体包括限定在其中的第一观察口和第二观察口；第一盖部分，其包括第一针孔，第一盖部分布置为对应于第一观察口的端部；第一感测单元，其插入第一观察口中，以通过第一针孔监视处理室的内部中的第一感测区；第二盖部分，其包括第二针孔，第二盖部分布置为对应于第二观察口的端部；以及第二感测单元，其插入第二观察口中，以通过第二针孔监视处理室的内部中的第二感测区，第二感测区与第一感测区不同。14.根据权利要求13所述的设备，还包括：衬底支承件，其位...

【专利技术属性】
技术研发人员：普罗托波波夫·弗拉基米尔，黄基镐，成德镛，吴世真，印杰，张圣虎，全允珖，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR