半导体装置结构制造方法及图纸

半导体装置结构包含半导体基底，第一导电插塞和第二导电插塞位于半导体基底上方且彼此相邻，第一导通孔结构和第二导通孔结构位于半导体基底上方且彼此相邻，第一导电插塞与第二导电插塞之间的第一距离小于第一导通孔结构与第二导通孔结构之间的第二距离，第一导电插塞的第一高度大于第一导通孔结构的第二高度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本公开实施例涉及半导体技术，且特别涉及具有导电插塞(conductiveplug)的半导体装置结构。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历了快速成长。集成电路材料和设计的技术进展产生了数个世代的集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进展增加了处理与制造集成电路的复杂性。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一晶片区内互连装置的数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。然而，由于特征部件尺寸持续缩减，制造过程持续变得更加复杂。举例来说，所需光掩模的数目持续增加。因此，在越来越小的尺寸形成可靠的半导体装置是一个挑战。
技术实现思路
在一些实施例中，提供半导体装置结构，此半导体装置结构包含半导体基底，第一导电插塞和第二导电插塞在半导体基底上方且彼此相邻，以及第一导通孔结构和第二导通孔结构在半导体基底上方且彼此相邻，其中第一导电插塞与第二导电插塞之间的第一距离小于第一导通孔结构与第二导通孔结构之间的第二距离，且第一导电插塞本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置结构，包括:一半导体基底；一第一导电插塞和一第二导电插塞，位于该半导体基底上方且彼此相邻；以及一第一导通孔结构和一第二导通孔结构，位于该半导体基底上方且彼此相邻，其中该第一导电插塞与该第二导电插塞之间的一第一距离小于该第一导通孔结构与该第二导通孔结构之间的一第二距离，且该第一导电插塞的一第一高度大于该第一导通孔结构的一第二高度。

【技术特征摘要】
2016.01.27 US 15/007,5321.一种半导体装置结构，包括:一半导体基底；一第一导电插塞和一第二导电插塞，位于该半导体基底上方且彼此相邻；以及一第一导通孔结...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永智，卡罗斯·H·戴尔兹，林天禄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71