半导体结构和其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体结构和其制造方法。本发明专利技术提供一种半导体结构，其包含：第一半导体装置，其具有第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面对立；位于所述第一半导体装置的所述第一表面上方的半导体衬底；以及III‑V蚀刻终止层，其接触所述第一半导体装置的所述第二表面。本发明专利技术还提供一种用于半导体结构的制造方法，其包含提供具有第一表面的暂时衬底、形成III‑V蚀刻终止层于所述第一表面上方、形成第一半导体装置于所述III‑V蚀刻终止层上方以及通过蚀刻操作去除所述暂时衬底并且暴露所述III‑V蚀刻终止层的表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和其制造方法
本专利技术涉及具有绝缘体上硅结构的半导体结构和其制造方法。
技术介绍
绝缘体上硅(SOI)可由厚的完整基底层组成，典型但非必须是由硅所处理的，其提供机械稳定性、电绝缘中间层，典型但非必须是由二氧化硅(SiO2)制成、以及高质量单晶硅的薄的顶层，其包含通过例如光刻蚀刻手段而图案化的微电子装置。有许多厚的与薄的薄膜厚度成为适当的几何图形。已发现SOI衬底缺乏某些方面。通常，至今所提出的一些方法会产生相对低产量与相对高成本的厚度SOI晶片。至今已提出的其它方法会产生具有装置层的SOI晶片，其具有不被接受的变异或是其包含缺陷。虽然已提出不同的方法制造具有相对低变异的无缺陷装置层的SOI晶片，这些方法典型会以相对高产量且有利的成本产生SOI晶片，但这些方法典型产生厚度变异或是含有缺陷。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例是提供一种半导体结构，其包括第一半导体装置，其包括第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面对立；半导体衬底，其位于所述第一半导体装置的所述第一表面上方；III-V蚀刻终止层，其接触所述第一半导体装置的所述第二表面。本专利技术的一些实施例是提供一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其包括：第一半导体装置，其包括第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面对立；半导体衬底，其位于所述第一半导体装置的所述第一表面上方；III‑V蚀刻终止层，其接触所述第一半导体装置的所述第二表面。

【技术特征摘要】
2015.12.31 US 62/273,466;2016.04.01 US 15/088,1311.一种半导体结构，其包括：第一半导体装置，其包括第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面对立；半导体衬底，其位于所述第一半导体装置的所述第一表面上方；III-V蚀刻终止层，其接触所述第一半导体装置的所述第二表面。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述III-V蚀刻终止层包括磷化镓。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一半导体装置包括光感测区。4.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括贯穿硅通路，穿过所述第一半导体装置与所述III-V蚀刻终止层。5.一种用于半导体结构的制造方法，其包括：提供暂时衬底，其具有第一表面；形成III-V蚀刻终止层于所述第一表面上方；形成第一半导体装置于所述III-V蚀刻终止层；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡敏瑛，杜友伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71