一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法，属于SOI制备技术领域。该方法是将TM-SOI形成的SOI硅片，采用HCl化学腐蚀除去薄膜SOI硅片表面的损伤层，与此同时在高温低压的环境下，对薄膜SOI顶层硅层中因注入造成的缺陷进行了修复，获得高质量的SOI硅片。应用此方法制备的SOI，不仅可以改善表面粗糙度，最重要的是可以修复SOI的缺陷，制备电特性极佳的SOI材料。

Method for removing top silicon defect of TM-SOI

The invention discloses a method for removing the top silicon defect of TM-SOI, belonging to the technical field of SOI preparation. This method is the formation of TM-SOI SOI silicon wafer, removing damage layer SOI thin film silicon surface by HCl chemical corrosion, at the same time in high temperature and low pressure environment, the top silicon layer on SOI film due to the injection of the defects were repaired, high quality SOI wafer. The SOI prepared by this method can not only improve the surface roughness, but most importantly, can repair the defects of SOI and prepare excellent SOI materials with excellent electrical properties.

【技术实现步骤摘要】
一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法
本专利技术涉及SOI
，具体涉及一种去除TM-SOI(SilicononInsulator，绝缘体上硅)顶层硅缺陷的方法。
技术介绍
TM-SOI是一种基于离子注入剥离法(smart-cut法)的SOI技术，“TM-SOI智能切割法”在中国申报了专利技术专利，申请号200310123080.1，并获得中国专利局专利技术专利授权。具体方法：在两硅片之中，至少在其中一方形成氧化膜，并利用离子注入法，以于其中一方的硅片薄膜内形成一层离子分离层，使该已注入离子的面隔着氧化膜在室温下贴合另一方硅片，形成键合体。接着加以退火，使键合面牢固。然后升高温度至转变温度点以上，待温度平衡稳定后，激活高频交替电场或磁场照射该薄膜，使该离子分离层中的注入离子聚合为气体分子，形成一层分离膜，分离该薄膜，完成薄膜剥离，形成SOI。这种TM-SOI方式，有效的提高了微波吸收率，加速了薄膜分离。利用此方法，剥离面为良好的镜面，可以得到顶层的膜厚均匀性较高的SOI硅片。但是，剥离面存在很多剥离坑和砂眼，表面粗糙度大，难以满足客户要求。为解决这个问题，通常采用CMP(chem本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除TM‑SOI顶层硅缺陷的方法，其特征在于：该方法是针对TM‑SOI制备的SOI硅片，在高温低压的环境下，利用无水HCl气体修复其顶层硅缺陷，同时改善表面粗糙度，从而获得高质量的SOI硅片。

【技术特征摘要】
1.一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法，其特征在于：该方法是针对TM-SOI制备的SOI硅片，在高温低压的环境下，利用无水HCl气体修复其顶层硅缺陷，同时改善表面粗糙度，从而获得高质量的SOI硅片。2.根据权利要求1所述去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法，其特征在于：该方法具体包括如下步骤：(1)将TM-SOI形成的SOI硅片送入密封反应腔；(2)反应腔中通入H2，在常压及1000～1100℃条件下加热10～60秒，原位去除硅片表面自然氧化层及其杂质；(3)降低反应腔压力，经过步骤(2)处理的SOI硅片置于无水HCl气氛中腐蚀其表面的硅层；其中，腐蚀温度600～1100℃，腐蚀时间10～600秒，腐蚀压力20～100torr；(4)反应腔回充H2，恢复反应腔压力为常压状态，除去反应腔中的杂质及残余HCl...

【专利技术属性】
技术研发人员：高文琳，柳清超，孙伟，
申请(专利权)人：沈阳硅基科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21