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本发明公开了一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法，属于SOI制备技术领域。该方法是将TM-SOI形成的SOI硅片，采用HCl化学腐蚀除去薄膜SOI硅片表面的损伤层，与此同时在高温低压的环境下，对薄膜SOI顶层硅层中因注入造成的缺陷进行了修复...
该专利属于沈阳硅基科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳硅基科技有限公司授权不得商用。

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