【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于缓冲器电路的偏置方案相关申请的交叉引用本专利申请要求2014年12月5日提交的美国申请号14/561,477的优先权的权益,所述专利通过引用以其全部内容结合。
本文所述的实施例涉及输入/输出电路电子产品。一些实施例涉及运行于不同电压的电路。
技术介绍
I/O电路(例如,I/O缓冲器)是比如计算机、平板、蜂窝电话、和存储卡等许多电子设备或系统所包括的组件(例如,收发器)。许多常规I/O电路使用低压设备(例如,晶体管)运行于相对高电压,例如使用1.8V设备的3.3VIO。在此类常规I/O电路中,通常使用参考电压以便保护低压设备免受可能导致使用寿命退化的电压应力。虽然解决了设备可靠性问题,此类常规I/O电路可能经历一种或多种其他问题,如下面详细描述的。附图说明图1根据本文所述的一些实施例示出了包括具有缓冲器的集成电路(IC)的装置。图2根据本文所述的一些实施例示出了缓冲器的电路图。图3A和图3B根据本文所述的一些实施例示出了用于生成偏置电压的不同偏置电压发生器的框图。图4根据本文所述的一些实施例示出了用于生成另一偏置电压的偏置电压发生器的框图。图5根据本文所述的一些 ...
【技术保护点】
一种装置,包括:第一节点,所述第一节点用于接收电源电压;第二节点,所述第二节点用于接收被提供给串联耦合的多个晶体管中的第一晶体管的栅极的第一偏置电压;第三节点,所述第三节点用于接收接地电势;第一电路分支,所述第一电路分支耦合在所述第一与第二节点之间;以及第二电路分支,所述第二电路分支耦合在所述第一与第三节点之间,其中,所述第一和第二电路分支被安排成用于向所述多个晶体管中的第二晶体管的栅极提供第二偏置电压,使得所述第二偏置电压的值基于所述第一偏置电压的值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.05 US 14/561,4771.一种装置,包括:第一节点,所述第一节点用于接收电源电压;第二节点,所述第二节点用于接收被提供给串联耦合的多个晶体管中的第一晶体管的栅极的第一偏置电压;第三节点,所述第三节点用于接收接地电势;第一电路分支,所述第一电路分支耦合在所述第一与第二节点之间;以及第二电路分支,所述第二电路分支耦合在所述第一与第三节点之间,其中,所述第一和第二电路分支被安排成用于向所述多个晶体管中的第二晶体管的栅极提供第二偏置电压,使得所述第二偏置电压的值基于所述第一偏置电压的值。2.如权利要求1所述的装置,其中,所述第二偏置电压的所述值基于所述电源电压的值与所述第一偏置电压的所述值之间的差。3.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一电路分支包括耦合在所述第一与第二节点之间的第一电路部分,所述第二电路分支包括耦合在所述第一与第三节点之间的第二电路部分,并且所述第一和第二电路部分具有匹配的电路结构。4.如权利要求1所述的装置,进一步包括:第三电路分支,所述第三电路分支耦合在所述第一与第三节点之间并耦合至所述第一与第二电路分支,其中,第三电路分支包括用于提供所述第二偏置电压的节点。5.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一晶体管包括在所述多个晶体管中的一对晶体管中,所述一对晶体管耦合在所述第三节点与输入/输出(I/O)电路的输出节点之间,所述第二晶体管被包括在所述多个晶体管中的附加的一对晶体管中,并且所述附加的一对晶体管耦合在所述I/O电路的所述输出节点与所述第一节点之间。6.一种装置,包括:第一节点,所述第一节点用于接收第一电压;第二节点,所述第二节点用于接收小于所述第一电压的第二电压;输出级,所述输出级包括耦合在所述第一与第二节点之间的晶体管;以及偏置级,所述偏置级用于向所述晶体管当中的第一晶体管的栅极提供第一偏置电压并向所述晶体管当中的第二晶体管的栅极提供第二偏置电压,并且第二偏执电压的值基于所述第一电压的值和所述第一偏置电压的值。7.如权利要求6所述的装置,其中,所述第一电压包括第一电源电压,所述第二电压包括接地电势,并且所述第一偏置电压包括所述装置的第二电源电压。8.如权利要求6所述的装置,其中,所述第一电压包括所述装置的第一电源电压,所述第二电压包括接地电势,并且所述第一偏置电压是从带隙基准电压中生成的。9.如权利要求6所述的装置,进一步包括前置驱动器,所述前置驱动器用于向所述晶体管当中的第三晶体管的栅极提供信号,其中,所述前置驱动器被安排成使得提供给所述第三晶体管的所述栅极的所述信号具有处于基于所述第一电压的值的水平与基于所述第二偏置电压的所述值的水平之间的信号摆幅。10.如权利要求9所述的装置,进一步包括附加前置驱动器,所述附加前置驱动器用于向所述晶体管当中的第四晶体管的栅极提供信号,其中,所述附加前置驱动器被安排成使得提供给所述第四晶体管的所述栅极的所述信号具有处于基于所述第二电压的值的水平与基于所述第一偏置电压的所述值的水平之间的信号摆幅。11.如权利要求6所述的装置,进一步包括输出节点,所述输出节点用于基于第一输入信号和第二输入信号提供输出信号,其中,所述晶体管包括:耦合在所述第一节点与所述输出节点之间的一对晶体管,所述一对晶体管包括所述第二晶体管以及具有用于接收所述第一信号的栅极的晶体管;以及耦合在所述输出节点与所述第二节点之间的附加的一对晶体管,所述一对晶体管包括所述第一晶体管以及具有用于接收所述第二信号的栅极的晶体管。12.如权利要求11所述的装置,进一步包括第三节点,所述第三节点用于接收所述第一偏置电压,其中,所述偏置级包括偏置电压发生器,所述偏置电压发生器用于在所述偏置电压发生器的输出处生成所述第二偏置电压,所述偏置电压发生器包括具有耦合在所述第一与第三节点之间的第一电路部分的第一电路分支、以及具有耦合在所述第一与第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·戈尔,P·毕拉瓦迪,K·尼斯,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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