一种新型MOS管开关控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型MOS管开关控制电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第一三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，第一MOS管的漏极与IN2+信号端子相连接，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连接且第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连接，第二MOS管的漏极与IN1+信号端子和OUT+端子相连接，第一MOS管的栅极连接在第一三极管的集电极上，第一三极管的发射极连接在地线，第三电阻连接在第一三极管的基极与发射极之间，第一三极管的基极通过第二电阻连接在5VIN端子上。本实用新型专利技术的结构设置合理，采用双MOS管，可有防止IN1+信号反漏至IN2+的支路上，提高了电路的使用稳定性和可靠性，适用性强且实用性好。

A new type of MOS switch control circuit

The utility model discloses a novel MOS switch control circuit comprises a first MOS tube, second MOS tube, the first transistor, a first resistor, a second resistor and the third resistor, the drain is connected with the signal terminal of the first IN2+ MOS tube, MOS tube first gate source and second MOS tube connecting the source phase and the first MOS pipe and the gate of the second MOS tube is connected with a drain connected to IN1+ signal terminal and the OUT+ terminal second MOS tube, MOS tube connected to the first gate first the collector of a transistor, a first triode connected to the ground, the third resistor is connected between the first triode base with the emitter, the base of the first triode is connected to the 5VIN terminal through the second resistor. The structure of the utility model is reasonable, and the double MOS tube is adopted, and the utility model can prevent the IN1+ signal from leaking back to the branch of the IN2+, thereby improving the stability and reliability of the use of the circuit, and having good applicability and good practicability.

【技术实现步骤摘要】
一种新型MOS管开关控制电路
本技术属于开关控制电路
，具体涉及一种新型MOS管开关控制电路。
技术介绍
目前电路上涉及到很多负载控制电路直接由三极管来控制，不同的负载控制使用不同的三极管，如附图1所示，能给负载工作的有两路信号，一路是IN1+直接供电负载，另一路则是IN2+经过三极管Q1给负载工作。当5VIN信号还没来的时候，由于三极管Q1、Q2都处于截止状态，IN2+的信号是不会直接经过三极管Q1给负载工作。当5VIN信号来的时候，信号就会经过电阻R2、三极管Q2使三极管的发射极产生电流而导通，由于三极管Q2的导通，IN2+的信号直接通过三极管Q1、电阻R1形成回路使三极管Q1直接导通，这样的情况下，负载直接通电工作。当负载工作的信号是来自IN1+时，IN1+信号电会经过三极管反漏电到IN2+信号的支路上，假如我想在IN2+的支路上再设计一些复杂性的电路，就会受到反漏电压的干扰影响。由于三极管具有漏电特性，这也是难以避免，假如图1中电路直接用MOS管来代替三极管Q1的话，也是不行的，原因在于输入信号IN1+时，MOS管的G、S极会形成负电压直接导通，使信号IN1+和IN2+本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型MOS管开关控制电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第一三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，其特征在于：第一MOS管的漏极与IN2+信号端子相连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连接且所述第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连接，所述第二MOS管的漏极与IN1+信号端子和OUT+端子相连接，所述第一电阻连接在第一MOS管的漏极与栅极之间，所述第一MOS管的栅极连接在第一三极管的集电极上，所述第一三极管的发射极连接在地线，所述第三电阻连接在第一三极管的基极与发射极之间，所述第一三极管的基极通过第二电阻连接在5VIN端子上。

【技术特征摘要】
1.一种新型MOS管开关控制电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第一三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，其特征在于：第一MOS管的漏极与IN2+信号端子相连接，所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极相连接且所述第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连接，所述第二MOS管的漏极与IN1+信号端子和OUT+端子相连接，所述第一电阻连接在第一MOS管的漏极与栅极之间，所述第一M...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫立富，
申请(专利权)人：广东金莱特电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44