用于相变存储器元件的阻挡膜技术与构造制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于相变存储器元件的阻挡膜技术与构造相关申请的交叉引用本专利申请要求在2014年12月5日提交的美国专利申请No.14/562,473，并且名称为“BARRIERFILMTECHNIQUESANDCONFIGURATIONSFORPHASE-CHANGEMEMORYELEMENTS”的优先权，出于所有目的在此其全部内容通过引用的方式被并入到本文中。
本公开的实施例大体上涉及集成电路的领域，并且更具体地涉及用于相变存储器元件的阻挡膜技术与构造。
技术介绍
相变存储器(PCM)技术(例如，多栈交叉点PCM)对于其它非易失性存储(NVM)技术而言是有希望的替代物。目前，PCM元件中的硫族化物材料通过周围的电极可以是易于扩散的，这可能会阻碍活性膜的成分控制。附图说明通过以下结合附图的具体描述，将会容易地理解实施例。为了有利于实施这个描述，相似的附图标记指定相似的结构元件。以举例而不是限制的方式在附图中示出了实施例。图1示意地示出了根据一些实施例的以晶圆形式和以单一化形式的示例性管芯的上视图。图2示意地示出了根据一些实施例的集成电路(IC)组件的截面侧视图。图3示意地示出了...
【技术保护点】
一种装置，包括：多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个PCM元件中的单独的PCM元件包括：底部电极层；选择器件层，其被设置在所述底部电极层上；中间电极层，其被设置在所述选择器件层上；相变材料层，其被设置在所述中间电极层上；顶部电极层，其被设置在所述相变材料层上；以及阻挡膜，其包括IV族过渡金属、VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)，所述阻挡膜被设置在所述底部电极层与所述顶部电极层之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.05 US 14/562,4731.一种装置，包括：多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个PCM元件中的单独的PCM元件包括：底部电极层；选择器件层，其被设置在所述底部电极层上；中间电极层，其被设置在所述选择器件层上；相变材料层，其被设置在所述中间电极层上；顶部电极层，其被设置在所述相变材料层上；以及阻挡膜，其包括IV族过渡金属、VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)，所述阻挡膜被设置在所述底部电极层与所述顶部电极层之间。2.根据权利要求1所述的装置，其中：所述IV族过渡金属包括钛(Ti)；以及所述VI族过渡金属包括钨(W)。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述阻挡膜包括多达15％的Ti的原子和从20％到35％的W的原子。4.根据权利要求1所述的装置，其中：所述底部电极层，所述中间电极层以及所述顶部电极层包括碳；以及所述选择器件层和所述相变材料层包括硫族化物材料。5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的装置，其中，所述阻挡膜被设置在所述底部电极层与所述选择器件层之间的界面处。6.根据权利要求1-4中的任何一项所述的装置，其中，所述阻挡膜被设置在所述选择器件层与所述中间电极之间的界面处。7.根据权利要求1-4中的任何一项所述的装置，其中，所述阻挡膜被设置在所述中间电极层与所述相变材料层之间的界面处。8.根据权利要求1-4中的任何一项所述的装置，其中，所述阻挡膜被设置在所述相变材料层与所述顶部电极层之间的界面处。9.根据权利要求1-4中的任何一项所述的装置，其中，所述阻挡膜是被设置在所述底部电极层与所述选择器件层之间的界面处的第一阻挡膜，所述装置进一步包括：被设置在所述选择器件层与所述中间电极层之间的界面处的第二阻挡膜，所述第二阻挡膜包括所述IV族过渡金属、所述VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)。10.根据权利要求1-4中的任何一项所述的装置，其中，所述阻挡膜是被设置在所述中间电极层与所述相变材料层之间的界面处的第一阻挡膜，所述装置进一步包括：被设置在所述相变材料层与所述顶部电极层之间的界面处的第二阻挡膜，所述第二阻挡膜包括所述IV族过渡金属、所述VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)。11.根据权利要求1-4中的任何一项所述的装置，其中，所述阻挡膜是被设置在所述底部电极层与所述选择器件层之间的界面处的第一阻挡膜，所述装置进一步包括：被设置在所述选择器件层与所述中间电极层之间的界面处的第二阻挡膜，所述第二阻挡膜包括所述IV族过渡金属、所述VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)；被设置在所述中间电极层与所述相变材料层之间的界面处的第三阻挡膜，所述第三阻挡膜包括所述IV族过渡金属、所述VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)；以...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·W·佩茨，Y·J·胡，D·W·柯林斯，A·麦克蒂尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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