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本公开的实施例描述了用于相变存储器元件的阻挡膜技术和构造。在实施例中，装置包括多个相变存储器(PCM)元件，其中所述多个PCM元件中的单独的PCM元件包括：底部电极层、设置在所述底部电极层上的选择器件层、设置在所述选择器件层上的中间电极层、...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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