具有用于经减少的导电路径区域/经增强的电场的间隔物区域的电阻式存储器单元制造技术

本发明专利技术涉及一种形成优选地用于CBRAM或ReRAM阵列的电阻式存储器单元的方法，其包含：形成导电层；氧化暴露区域；及移除接近于所述氧化区域(110)的所述导电层的区域以形成具有尖头或边缘区域(114)的底部电极(102A)。电绝缘微型间隔物(118)形成于所述底部电极相邻处，且电解质区域(120A)及顶部电极(122A)形成于所述底部电极及微型间隔物上以界定存储器元件。所述存储器元件界定从所述底部电极尖头区域经由所述电解质区域而到所述顶部电极的导电细丝/空位链路径CP。所述微型间隔物减少所述导电细丝/空位链路径的有效区域或限制区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于经减少的导电路径区域/经增强的电场的间隔物区域的电阻式存储器单元相关申请案本申请案是2014年2月19日申请的共同待决的第14/184,331号美国申请案(“‘331非临时申请案”)的部分接续案，且主张2014年11月26日申请的第62/085,075号美国临时申请案(“‘075临时申请案”)的优先权。本申请案还涉及共同待决的美国非临时申请案US14/184,268(“‘268非临时申请案”)。‘331非临时申请案、‘075临时申请案及‘268非临时申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及电阻式存储器单元(例如导电桥接随机存取存储器(CBRAM)或电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元)，其具有用于形成导电路径(例如导电细丝或空位链)的经减少的区域，且包含用于进一步减少导电路径区域及/或增强电场的间隔物区域。
技术介绍
电阻式存储器单元(例如导电桥接存储器(CBRAM)及电阻式RAM(ReRAM)单元)是比常规快闪存储器单元更具尺寸及成本优势的一种新的非易失性存储器单元。CBRAM是基于固体电解质内的离子的物理再定位。CBRAM存储器单元可由两个固体金属电极(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成电阻式存储器单元的方法，其包括：在衬底上形成底部电极层；使所述底部电极层的暴露区域氧化以形成氧化物区域；移除接近于所述氧化物区域的所述底部电极层的区域，借此形成底部电极，所述底部电极具有侧壁及相邻于所述氧化物区域的所述侧壁的顶部处的尖头区域；将间隔物层至少沉积于所述底部电极的所述尖头区域及所述相邻氧化物区域上；移除所述间隔物层的部分，使得间隔物区域保持横向地相邻于所述底部电极的所述侧壁；至少在所述间隔物区域、所述底部电极的所述尖头区域、及所述相邻氧化物区域上形成电解质区域及顶部电极，使得所述电解质区域是布置于所述顶部电极与所述底部电极的所述尖头区域之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.26 US 62/085,0751.一种形成电阻式存储器单元的方法，其包括：在衬底上形成底部电极层；使所述底部电极层的暴露区域氧化以形成氧化物区域；移除接近于所述氧化物区域的所述底部电极层的区域，借此形成底部电极，所述底部电极具有侧壁及相邻于所述氧化物区域的所述侧壁的顶部处的尖头区域；将间隔物层至少沉积于所述底部电极的所述尖头区域及所述相邻氧化物区域上；移除所述间隔物层的部分，使得间隔物区域保持横向地相邻于所述底部电极的所述侧壁；至少在所述间隔物区域、所述底部电极的所述尖头区域、及所述相邻氧化物区域上形成电解质区域及顶部电极，使得所述电解质区域是布置于所述顶部电极与所述底部电极的所述尖头区域之间。2.根据权利要求1所述的方法，其中经由所述电解质区域的所述底部电极的所述尖头区域与所述顶部电极之间的直接路径是无所述间隔物区域的。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述间隔物区域是横向地位于所述底部电极层的所述侧壁与所述电解质区域之间。4.根据权利要求3所述的方法，其中移除所述间隔物层的部分包括：移除所述间隔物层的部分，使得剩余间隔物区域仅部分地沿所述底部电极侧壁的高度向上延伸。5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中移除所述间隔物层的部分包括：移除所述间隔物层的部分，使得剩余间隔物区域的顶部是位于所述底部电极的所述尖头下方。6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述间隔物层包括电介质材料。7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述电阻式存储器单元是导电桥接存储器CBRAM单元或电阻式RAMReRAM单元。8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述电解质区域提供用于形成从所述底部电极的所述尖头区域到所述顶部电极的导电细丝或空位链的路径。9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中垂直于所述底部电极层的平面中的每一氧化物区域的横截面具有大体上呈椭圆形的形状。10.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述底部电极的所述尖头区域的形状是由所述氧化物区域界定。11.一种形成单元阵列的方法，其包括：在衬底上形成底部电极层；使所述底部电极层的多个暴露区域氧化以形成彼此隔开的多个氧化物区域；移除相邻氧化物区域之间的所述底部电极层的区域，借此形成多个底部电极，每一底部电极具有侧壁、及所述底部电极的上侧处的相应氧化物区域、及相邻于所述相应氧化物区域的所述侧壁的顶部处的至少一个尖头区域；将间隔物层沉积于所述多个底部电极及所述相应氧化物区域上；移除所述间隔物层的部分，使得间隔物区域保持横向地相邻于每一相应底部电极的所述侧壁；在所述多个底部电极、所述间隔物区域及所述相应氧化物区域上形成电解质层及顶部电极层；移除所述电解质层及顶部电极层的部分以在每一底部电极及相应氧化物区域上形成电解质区域及顶部电极，借此形成单元阵列，每一单元包含相应底部电极、相应氧化物区域、相应电解质区域及相应顶部电极；其中，对于每一单元：所述相应电解质区域是布置于所述相应底部电极的所述尖头区域与所述相应顶部电极之间，借此提供用于形成从所述相应底部电极的所述尖头区域通过所述相应电解质区域而到所述相应顶部电极的至少一个导电细丝或空位链的路径；且所述间隔物区...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·费斯特，
申请(专利权)人：密克罗奇普技术公司，
类型：发明
国别省市：美国,US