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本发明涉及一种形成优选地用于CBRAM或ReRAM阵列的电阻式存储器单元的方法，其包含：形成导电层；氧化暴露区域；及移除接近于所述氧化区域(110)的所述导电层的区域以形成具有尖头或边缘区域(114)的底部电极(102A)。电绝缘微型间隔物...
该专利属于密克罗奇普技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过密克罗奇普技术公司授权不得商用。

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