散热基板和该散热基板的制造方法技术

本发明专利技术通过对由粗粒的Mo或粗粒的W、和Cu构成的CuMo或CuW的合金复合体进行致密化处理，然后进行横轧，从而制造在平行于表面的面内的任意方向上、在室温以上且800℃以下的线膨胀系数的最大值为10ppm/K以下、在温度200℃下的热导率为250W/m·K以上的散热基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】散热基板和该散热基板的制造方法
本专利技术涉及CuMo或CuW的散热基板、及其制造方法，所述CuMo或CuW的散热基板安装于高性能的半导体组件的半导体封装体(以下简称为封装体，有时简称为PKG)的，具有(1)适于半导体组件的线膨胀系数和(2)大的热导率，并且(3)在表面具有缺陷少的金属层。
技术介绍
对于半导体组件，有LSI、IGBT功率半导体、电波/光通信用半导体、激光、LED、传感器等用途，根据它们所需的性能，结构也多种多样。半导体组件是由不同的线膨胀系数和不同的热导率的材料构成的、非常高精密的仪器，对于在其PKG中使用的散热基板，也提出了许多各式各样的复合材料、各式各样的形状。对于半导体组件的散热基板，在PKG的制作、半导体器件的软钎焊中，为了确保性能、寿命，需要适于半导体组件的线膨胀系数。为了使半导体器件的热冷却来确保性能、寿命，热导率也需要高的值。此外，为了接合各种构件、半导体器件，容易实施良好的镀覆也是极其重要的。另外，若对散热基板的形状进行大致划分，则有厚度3mm以下的数mm见方的底座(submount)、平板、螺纹固定平板、三维形状等，期望容易得到这些形状的制法。对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热基板的制造方法，其特征在于，制作将Mo或W的颗粒、和Cu作为主要成分的合金复合体，对所述合金复合体进行致密化，对所述致密化后的合金复合体进行横轧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.05 JP 2014-2466361.一种散热基板的制造方法，其特征在于，制作将Mo或W的颗粒、和Cu作为主要成分的合金复合体，对所述合金复合体进行致密化，对所述致密化后的合金复合体进行横轧。2.根据权利要求1所述的散热基板的制造方法，其特征在于，在所述横轧之前，对所述致密化了的合金复合体进行固相处理。3.一种散热基板的制造方法，其特征在于，制作将90wt％以上为15μm以上且200μm以下的Mo或W的颗粒、和Cu作为主要成分的CuMo或CuW的合金复合体，对所述合金复合体进行致密化而使该合金复合体的相对密度提高，对该致密化后的合金复合体进行固相烧结，对所述固相烧结后的合金复合体进行横轧，由此制造在平行于表面的面内的任意方向上、在25℃以上且800℃以下的线膨胀系数的最大值为10ppm/K以下、在温度200℃下的热导率为250W/m·K以上的散热基板。4.根据权利要求1至3中任一项所述的散热基板的制造方法，其特征在于，通过对所述合金复合体进行轧制来进行所述致密化而使该合金复合体的相对密度为99％以上。5.根据权利要求4所述的散热基板的制造方法，其特征在于，在进行装罐并脱气的状态下进行所述轧制。6.根据权利要求1至5中任一项所述的散热基板的制造方法，其特征在于，在进行所述横轧...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井彰，
申请(专利权)人：株式会社半导体热研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP