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本发明通过对由粗粒的Mo或粗粒的W、和Cu构成的CuMo或CuW的合金复合体进行致密化处理，然后进行横轧，从而制造在平行于表面的面内的任意方向上、在室温以上且800℃以下的线膨胀系数的最大值为10ppm/K以下、在温度200℃下的热导率为2...
该专利属于株式会社半导体热研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体热研究所授权不得商用。

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