半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法本申请是一件分案申请，其母案的申请日为2008年5月30日、进入中国国家阶段的申请号为200880019833.5、专利技术名称为“半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法”。
本专利技术涉及堆叠式半导体装置及用于制造堆叠式半导体装置的方法。
技术介绍
经封装的半导体装置用于蜂窝式电话、寻呼机、个人数字助理、计算机及许多其它类型的消费者电子产品或工业电子产品中。微电子制造商正在研发具有较小大小的更精密的装置。为符合当前的设计标准，半导体组件在印刷电路板上日益减小的“占用面积”(即，所述装置在印刷电路板上所占的高度及表面积)内具有越来越密集的输入/输出端子阵列。通常使用同时处理大量裸片(即，芯片)的方法在半导体晶片或其它类型的工件上制作半导体装置。微电子装置通常具有裸片，所述裸片包含具有高密度的极小组件的集成电路。所述裸片通常包含接合垫阵列或其它外部电端子阵列以用于向及从所述集成电路传输电源电压、信号等。所述接合垫通常非常小且组装成在接合垫之间具有精细间距的密集阵...
【技术保护点】
一种半导体组合件，其包括：晶片，其包含多个已知良好第一裸片及多个已知不良第一裸片；多个经分离的已知良好第二裸片，其附接到对应的已知良好第一裸片，及多个经分离的已知不良第二裸片，所述多个经分离的已知不良第二裸片附接到对应的已知不良第一裸片，其中所述第二裸片彼此间隔开间隙；及位于所述间隙中的囊封剂材料。
【技术特征摘要】
2007.06.15 US 11/764,0661.一种半导体组合件，其包括：晶片，其包含多个已知良好第一裸片及多个已知不良第一裸片；多个经分离的已知良好第二裸片，其附接到对应的已知良好第一裸片，及多个经分离的已知不良第二裸片，所述多个经分离的已知不良第二裸片附接到对应的已知不良第一裸片，其中所述第二裸片彼此间隔开间隙；及位于所述间隙中的囊封剂材料。2.根据权利要求1所述的组合件，其中所述晶片具有小于100微米的厚度。3.根据权利要求1所述的组合件，其中所述经分离的第二裸片具有小于100微米的厚度。4.根据权利要求1所述的组合件，其中所述已知良好第一裸片各自地包括电耦合到第一端子及贯通裸片互连件的第一集成电路，且其中已知良好第二裸片各自地包括电耦合到第二集成电路及对应的贯通裸片互连件的互联接触点的第二端子。5.根据权利要求1所述的组合件，其中所述已知不良第一裸片和所述已知不良第二裸片是有缺陷的。6.根据权利要求1所述的组合件，其中所有的所述已知良好第二裸片均安装在所述已知良好第一裸片上。7.根据权利要求1所述的组合件，其中所述已知不良第一裸片和所述已知不良第二裸片形成有缺陷的堆叠。8.根据权利要求1所述的组合件，其中：所述已知良好第一裸片和所...
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