薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的栅电极和栅绝缘层；有源层，所述栅绝缘层设置于所述有源层和所述栅电极之间；所述有源层包括沟道区和设置在所述沟道区至少一侧的掺杂区；其中，所述栅绝缘层设置有凸起部，所述凸起部位于所述掺杂区和栅电极之间。凸起部可以增加有源层中的掺杂区和栅电极之间的间隔距离，降低因掺杂区和栅电极重叠产生的寄生电容，可以提高薄膜晶体管的电学性能。

Thin film transistor, method for producing the same, array substrate and display device

A thin film transistor, a method for producing the same, an array substrate and a display device. The thin film transistor includes: a substrate and an insulating layer disposed on the substrate on the gate electrode and the gate; the active layer and the gate insulating layer is arranged between the active layer and the gate electrode; the active layer includes a doped region and the channel region disposed in the channel region at least one side among them,; the gate insulating layer is provided with convex, the convex part is positioned in the doped region and a gate electrode. The convex part can increase the distance between the doped region and the gate electrode in the active layer, and reduce the parasitic capacitance produced by the overlap of the doped region and the gate electrode, so that the electrical performance of the thin film transistor can be improved.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本公开的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着生活水平的提高，当前用户对显示产品的要求也越来越高，尤其是在显示画面质量的提升方面。但是，因受传统薄膜晶体管的结构限制，使用薄膜晶体管作为子像素的开关元件的显示产品画面闪烁的问题始终不能消除或改善，因此，如何有效改善这种显示产品的画面闪烁等不良成为当前各厂家面临的难题。公开内容本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的栅电极和栅绝缘层；有源层，所述栅绝缘层设置于所述有源层和所述栅电极之间；所述有源层包括沟道区和设置在所述沟道区至少一侧的掺杂区；其中，所述栅绝缘层设置有凸起部，所述凸起部位于所述掺杂区和栅电极之间。例如，在本公开实施例提供的薄膜晶体管中，其中，所述凸起部包括彼此间隔设置的第一凸起部和第二凸起部，所述掺杂区包括分别设置在所述沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一凸起部位于栅电极和第一掺杂区之间，所述第二凸起部位于栅电极和第二掺杂区之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的栅电极和栅绝缘层；有源层，所述栅绝缘层设置于所述有源层和所述栅电极之间；所述有源层包括沟道区和设置在所述沟道区至少一侧的掺杂区；其中，所述栅绝缘层设置有凸起部，所述凸起部位于所述掺杂区和栅电极之间。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的栅电极和栅绝缘层；有源层，所述栅绝缘层设置于所述有源层和所述栅电极之间；所述有源层包括沟道区和设置在所述沟道区至少一侧的掺杂区；其中，所述栅绝缘层设置有凸起部，所述凸起部位于所述掺杂区和栅电极之间。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述凸起部包括彼此间隔设置的第一凸起部和第二凸起部，所述掺杂区包括分别设置在所述沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一凸起部位于栅电极和第一掺杂区之间，所述第二凸起部位于栅电极和第二掺杂区之间。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述栅绝缘层还包括设置在所述第一凸起部和所述第二凸起部之间的间隔区域，所述间隔区域位于所述栅电极和所述沟道区之间。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一凸起部还包括第一露出部，所述第一露出部在所述衬底基板上的正投影超出所述栅电极在所述衬底基板上的正投影，以及所述第二凸起部还包括第二露出部，所述第二露出部在所述衬底基板上的正投影超出所述栅电极在所述衬底基板上的正投影，并且所述第一露出部和所述第二露出部在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影内。5.根据权利要求1-4任一所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述栅绝缘层至少包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，以及所述第二栅绝缘层设置于所述第一栅绝缘层的远离所述有源层的一侧，并且所述第二栅绝缘层被配置为所述凸起部。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层的氢含量比所述第二绝缘层的氢含量低。8.一种阵列基板，包括权利要求1-7中任一所述的薄膜晶体管。9.一种显示装置，包括权利要求8中所述的阵列基板。10.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极；在所述有源层中形成沟道区以及位于所述沟道区至少一侧的掺杂区；其中，所述栅绝缘层中形成有位于所述掺杂区和所述栅电极之间的凸起部。11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建宏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11