金属氧化物薄膜晶体管的制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种，其中，金属氧化物薄膜晶体管(metaloxideTFT)具有场效应迁移率高(≥10cm2/V·s)、制备工艺简单、大面积沉积均匀性好、响应速度快、及可见光范围内透过率高等特点，被认为是显示器朝着大尺寸、及柔性化方向发展的最有潜力的背板技术。由于金属氧化物薄膜对酸非常敏感，即便是弱酸也能快速腐蚀氧化物半导体，同时，TFT器件中金属氧化物半导体层通常设置的很薄，一般在30-50nm之间，它即便在500:1比例稀释的氢氟酸(HF)中，只需要几秒钟就可以被刻蚀完，而大多数金...
【技术保护点】
一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、及金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到有源层(35)；步骤S2、在所述缓冲层(20)、及有源层(35)上依次沉积绝缘层(40)、及栅极金属层(50)，对该绝缘层(40)、及栅极金属层(50)进行图案化处理得到栅极绝缘层(45)与栅极(55)；以所述栅极(55)、及栅极绝缘层(45)为阻挡层，通过等离子掺杂工艺对所述有源层(35)进行第一次掺杂，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极绝缘层(...
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、及金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到有源层(35)；步骤S2、在所述缓冲层(20)、及有源层(35)上依次沉积绝缘层(40)、及栅极金属层(50)，对该绝缘层(40)、及栅极金属层(50)进行图案化处理得到栅极绝缘层(45)与栅极(55)；以所述栅极(55)、及栅极绝缘层(45)为阻挡层，通过等离子掺杂工艺对所述有源层(35)进行第一次掺杂，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极绝缘层(45)覆盖的区域的导电性增强，形成轻掺杂区(351)；步骤S3、在所述栅极(55)、有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积层间介电层(60)，对该层间介电层(60)进行图案化处理，在所述层间介电层(60)上形成对应于所述轻掺杂区(351)上方的第一通孔(61)与第二通孔(62)；步骤S4、在所述层间介电层(60)上沉积一层银膜，对所述层间介电层(60)进行高温退火处理，使银膜中的银扩散到有源层(35)的轻掺杂区(351)中，实现对所述有源层(35)进行第二次掺杂，使得所述轻掺杂区(351)上被所述第一通孔(61)与第二通孔(62)露出的区域的导电性进一步增强，变为重掺杂区(352)；然后利用刻蚀工艺将所述层间介电层(60)表面的银膜刻蚀掉；步骤S5、在所述层间介电层(60)上沉积源漏极金属层(70)，对该源漏极金属层(70)进行图案化处理，得到源极(71)与漏极(72)，所述源极(71)和漏极(72)分别通过第一通孔(61)和第二通孔(62)与所述有源层(35)的重掺杂区(352)相接触。2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过物理气相沉积法沉积银膜，所沉积银膜的厚度为3.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，对所述层间介电层(60)进行高温退火处理时所采用的退火温度为100-...
【专利技术属性】
技术研发人员：李金明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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