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本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,在有源层上图案化形成栅极与栅极绝缘层后,以栅极与栅极绝缘层为阻挡层,通过等离子掺杂工艺对所述有源层进行第一次掺杂,形成轻掺杂区,然后沉积形成层间介电层,在层间介电层上对应轻掺杂区上方形成第一过孔...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,在有源层上图案化形成栅极与栅极绝缘层后,以栅极与栅极绝缘层为阻挡层,通过等离子掺杂工艺对所述有源层进行第一次掺杂,形成轻掺杂区,然后沉积形成层间介电层,在层间介电层上对应轻掺杂区上方形成第一过孔...