一种抗参数漂移反相器制造技术
An anti parameter drift inverter
The utility model relates to an anti parameter drift inverter, under the premise of ensuring correct functions, including the problem of parameter drift effectively solve the inverter caused by external factors: low noise tolerance is reduced and the output high level and reduce the transmission characteristics of the left; with the inverter structure: a main inverter, a compensation NMOS tube, a compensation circuit, the compensation circuit comprises a control NMOS and a current mirror structure; the main inverter realize inverting function normal, parameter drift, anti phase compensation and compensation circuit for compensating NMOS tube caused by external factors in addition, control is also used to control compensation branch work whether or not, thus effectively will minimize the power consumption.
【技术实现步骤摘要】
一种抗参数漂移反相器
本技术涉及集成电路设计领域，具体涉及了一种抗参数漂移反相器。
技术介绍
外界因素导致MOSFET中SiO2受到电离作用，其内部产生电子空穴对使得SiO2和Si-SiO2界面中正陷阱电荷的产生与积累，进而引起MOS管阈值电压负向漂移，对于NMOS而言，阈值电压不断减小，而PMOS的阈值电压不断增大。同时，外界因素使MOS管中鸟嘴边缘产生陷阱电荷，当电荷积累达到阈值后，寄生MOS管效应导致漏电流的产生。反相器作为数字集成电路设计中的基本模块，其性能对数字电路系统有直接的影响，而外界因素所引起MOSFET参数的改变，进一步导致反相器的关键参数的漂移。附图1所示为常见的普通反相器，通常情况下，其对应的噪声容限为：低电平噪声容限：NM0=V01≈Vtn0(1)高电平噪声容限：NM1=Vdd-V10≈|Vtp0|(2)其中Vtn0为NMOS管的阈值电压，Vtp0为PMOS管的阈值电压。当受到外界因素作用时，NMOS管的阈值电压减小了ΔVthn，PMOS管的阈值电压增大了ΔVthp，此时，MOSFET对应的阈值电压为：NMOS管：Vtn’=Vtn0-ΔVt...
【技术保护点】
一种抗参数漂移反相器，其特征在于包括：一个主反相器，包括具有输入端和输出端；用于补偿外界因素引起反相器的参数漂移的补偿支路和补偿管；所述补偿支路包括控制管和电流镜结构。
【技术特征摘要】
1.一种抗参数漂移反相器，其特征在于包括：一个主反相器，包括具有输入端和输出端；用于补偿外界因素引起反相器的参数漂移的补偿支路和补偿管；所述补偿支路包括控制管和电流镜结构。2.如权利要求1所述的一种抗参数漂移反相器，其特征在于：所述主反相器包括一个PMOS管P0和一个NMOS管N0；所述PMOS管P0的源端接电源，PMOS管P0的漏端接NMOS管N0的漏端；所述NMOS管N0的漏端接PMOS管P0的源端，NMOS管N0的源端接地。3.如权利要求2所述的一种抗参数漂移反相器，其特征在于：所述主反相器中的NMOS管N0的漏端作为输出端，NMOS管N0的栅端和PMOS管P0的栅端连接作为主反相器的输入端；所述主反相器中的PMOS管P0的漏端作为主反...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕秋叶，解磊，彭勇，杨任花，钟乐，刘鑫，毛光，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：新型
国别省市：四川,51
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